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霍尔效应实验报告 霍尔效应实验报告 霍尔效应实验报告 大学 本(专)科实验报告 课程名称： 姓名： 学院： 系： 专业： 年级： 学号： 指导教师： 成绩： 年代日 （实验报告目录） 实验名称 一、实验目的和要求 二、实验原理 三、主要实验仪器 四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据办理与解析 六、质疑、建议 霍尔效应实验 一．实验目的和要求： 1、认识霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. 2、测绘霍尔元件的VHIs，VHIM曲线认识霍尔电势差VH与霍尔元件控制（工作） 电流Is、励磁电流IM之间的关系。 3、学习利用霍尔效应测量磁感觉强度B及磁场散布。 4、判断霍尔元件载流子的种类，并计算其浓度和迁移率。 、学习用“对称交换测量法”除掉负效应产生的系统误差。 二．实验原理： 1、霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流与 磁场相互作用而产生电动势的效应， z 从本质上讲，霍尔效应是运动的带电 Y 粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引 x B 起的偏转。当带电粒子（电子或空穴） A 被拘束在固体材料中，这种偏转就导 致在垂直电流和磁场的方向上产生正 l f E V V 负电荷在不同侧的聚积，进而形成附 IS 加的横向电场。 fL 如右图（1）所示，磁场B位于Z d B 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿 L X正向通以电流Is（称为控制电流或 图1 工作电流），假设载流子为电子（N型 半导体材料），它沿着与电流 Is相反的X负向运动。 由于洛伦兹力fL的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于 y轴负方向的B侧偏转， 并使B侧形成电子积累，而相对的A侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两 种积累的异种电荷形成的反向电场力 fE的作用。随着电荷积累量的增加， fE增大，当两力 大小相等（方向相反）时， fL=-fE，则电子积累便达到动向平衡。这时在 A、B两端面之 间建立的电场称为霍尔电场 EH，相应的电势差称为霍尔电压 VH。 设电子按均一速度V向图示的 X负方向运动，在磁场 B作用下，所受洛伦兹力为 fL=-eVB 式中e为电子电量，V为电子漂移平均速度， B为磁感觉强度。 同时，电场作用于电子的力为 fEeEH eVH/l 式中EH为霍尔电场强度，VH为霍尔电压， l为霍尔元件宽度 Bcos 都不大，因此不适宜作霍尔元件。此 当达到动向平衡时， fL fE VB VH /l （1） 设霍尔元件宽度为 l，厚度为d，载流子浓度为 n，则霍尔元件的控制（工作）电流为 Is neVld （2） 由（1），（2）两式可得 1IsB IsB （3） VH EHl ne d RHd 即霍尔电压VH（A、B间电压）与Is、B的乘积成正比，与霍尔元件的厚度成反比，比 例系数RH 1 称为霍尔系数，它是反响材料霍尔效应强弱的重要参数，根据材料的电导 ne 率σ=neμ的关系，还可以获得： RH / （4） 式中 为材料的电阻率、μ为载流子的迁移率，即 单位电场下载流子的运动速度，一 般电子迁移率大于空穴迁移率，因此制作霍尔元件时大多采用 N型半导体材料。 当霍尔元件的材料和厚度确准时，设 KH RH /d 1/ned （5） 将式（5）代入式（3）中得 VH KHIsB （6） 式中KH称为元件的矫捷度，它表示霍尔元件在单位磁感觉强度和单位控制电流下的霍 尔电势大小，其单位是 [mV/mAT]，一般要求KH愈大愈好。 若需测量霍尔元件中载流子迁移率μ ,则有 V VL (7) EI VI 将(2)式、(5)式、(7)式联立求得 L IS KH （8） l VI 其中VI为垂直于IS方向的霍尔元件两侧面之间的电势差， 分别为霍尔元件长度和宽度。 由于金属的电子浓度n很高，所以它的RH或KH 外元件厚度d愈薄，KH愈高，所以制作时，往往采用减少认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电 阻将会增加，这对锗元件是不希望的。 应当注意，当磁感觉强度B和元件平面法线成一角度时（如图2），作用在元件上的有效磁 场是其法线方向上的分量，此时  EI为由VI产生的电场强度，L、 的办法来增加矫捷度，但不能 θ IVH VHKHIsBcos (9) 所以一般在使用时应调整元件两平面方 位，使VH达到最大，即θ =0， 图(2) VH=KHIsBcos KHIsB 由式（9）可知，当控制（工作）电流 Is或磁感觉强度 B，两者之一改变方向时，霍尔 电压VH的方向随之改变；若两者方向同时改变，则霍尔电压VH极性不变。 霍尔元件测量磁场的基本电路如图3，将霍尔元 件置于待测磁场的相应地址，并使元件平面与磁感  H  mvVH 应强度B垂直，在其控制端输入恒定的工作电流 Is， Is 霍尔元件的霍尔电压输出端接毫伏表，测量霍尔电 势VH的值。 三．主要实验仪器：