模电总结复习模拟电子技术基础.docxVIP

I 第一章 I 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si、错 Ge) 。 2. 特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子- -带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5. 杂质半导体---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子) *N 型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴) 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差---硅材料约为 0.6~0.8V，错材料约为 0.2~0.3V。 * PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN 结的伏安特性 1 1L jp/mA 1 沪向特性 M 0 匸 th ?Fry JflZuA 玩 1 赵亦 V f t 反向特性 二.半导体二极管 *单向导电性---- *二极管伏安特性 *正向导通压降- * 死区电压—— 正向导通，反向截止。 ----同 PN 结。 --- 硅管 0.6~0.7V，错管 0.2~0.3V。 硅管 0.5V，错管 0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若 V 阳＞V 阴 (正偏) ，二极管导通 (短路)； 若 V 阳＜V 阴 (反偏) ，二极管截止 (开路) 。 1)图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 At Q G) 二极管屯路 5)图解分析 VI 2) 等效电路法 ? 直流等 效电路法 *总的解题手段---- 若 V 阳V 阴 ( 若 V 阳 阴 ( *三种模型 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 正偏 反偏 ，二极管导通 (短路) ; ，二极管截止 (开路) 。 % % JU H：HH 微变等效电路法 1|) 恫压源 機劇 1 Cd) 小信吋模型 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性…正常工作时处在 PN 结的反向击穿区, 所以稳压二极管在电路中要反向连 第 章三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1. 类型 … 分为 NPN 和 PNP 两种。 2. 特点…基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电 区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 e____VT 2. 三极管内各极电流的分配 丿 (三丿 CN+ fcBO /E = FBN + ky = /B + /t /?= /B\■ /cut *共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 / =///B + U +〃 )/r RO =///B+/CF :O =///B 式子心”(1+) 心 O 称为穿透电流。 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线 … 同二极管。 矗 3 i CJD 测 Ch) MV 輪入特怦曲钱 h输岀端交流短路时的正向电流传输比*输岀特性曲线 h 输岀端交流短路时的正向电流传输比 (饱和管压降，用 UGES表示 放大区… 发射结正偏，集电结反偏。 截止区… 发射结反偏，集电结反偏。 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I CB6 I CEO、 IC 以及 B 均增加。 三.低频小信号等效模型(简化) hie---输岀端交流短路时的输入电阻， 常用 r be 表示； fBL fBL 卄 0 C) 输出将住曲找 t + 1 f + h rn ■ 0 fe --- 常用 B 表示； 四. 基本放大电路组成及其原则 1.VT、 VCc、 Rb、 R、G、G 的作用。 Cl) 简比的 H 參導竝 魁 B 2. 组成原则----能放大、不失真、能传输。 五. 放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 J4 * 概念…直流电流通的回路。 *画法…电容视为开路。 *作用…确定静态工作点 *直流负载线---由 MFICRG+UCE 确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 ‘ ‘ Je -- /to 3 改变 )改变 B : Q 点将沿直流负载线上下移动。 )改变