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纯化水系统消毒操作程序 并保证NaOH溶液温度恒定。 停止清洗泵的运行，让膜元件完全浸泡在NaOH溶液中60分钟。 按（6.0～9.1）m 3/h流量循环30分钟，高流量能冲洗掉被NaOH溶液清洗下来的污染物。 使用预处理产水用于冲洗系统内的NaOH溶液，为了防止沉淀，最低冲洗温度为20℃，系统冲洗时间为60分钟。 图1 反渗透装置化学消毒连接示意图 0.2%HCl清洗 用0.2%HCl去除膜表面可能存在的铁，再用膜系统的产水冲洗系统。 一级RO消毒时，配制500L 0.2%HCl溶液；二级RO消毒时，配制250L 0.2%HCl溶液。 首先用清洗泵混合一遍HCl溶液；然后以尽可能低的压力置换元件内的原水，其压力仅需达到足以补充进水至浓水的压力损失即可，输入HCl溶液时应以低流量（3.0～4.5）m 3/h运行。 当原水被置换掉后，浓水管路中就应该出现HCl溶液，让HCl溶液循环返回CIP水箱；循环HCl溶液10分钟或直到颜色不变为止；如果循环过程中存在pH的变化和HCl溶液颜色的变化，放掉HCl溶液重新配置新的HCl溶液，在清洗过程中应保持PH2以便实现有效的清洗。 停止清洗泵的运行，让膜元件完全浸泡在HCl溶液中60分钟。 按（6.0～9.1）m 3/h流量循环30分钟，高流量能冲洗掉被HCl溶液清洗下来的污染物。 使用预处理产水用于冲洗系统内的HCl溶液，为了防止沉淀，最低冲洗温度为20℃，系统冲洗时间为60分钟。 0.2%H2O2消毒 一级RO消毒时，配制500L 0.2%H2O2溶液；二级RO消毒时，配制250L 0.2%H2O2溶液。 首先用清洗泵混合一遍H2O2溶液；然后以尽可能低的压力置换元件内的原水，其压力仅需达到足以补充进水至浓水的压力损失即可，输入H2O2溶液时应以低流量（3.0～4.5）m 3/h运行。 控制温度25℃以下，以0.2%过氧化氢溶液，循环20分钟。 停止清洗泵的运行，将膜元件浸泡在消毒液中120分钟。 按（6.0～9.1）m 3/h流量循环30分钟。 使用预处理产水用于冲洗系统内的H2O2溶液，为了防止沉淀，最低冲洗温度为20℃。一级RO冲洗至出水电导小于15μs/cm；二级RO冲洗至出水电导小于5μs/cm即可。 同时填写“反渗透装置消毒记录”。 EDI消毒步骤 EDI也使用CIP在线清洗装置进行化学消毒（0.2%过乙酸消毒）；消毒时，制备系统禁止运行，同时断开EDI电源。 使用过乙酸消毒的流程包括下述五个步骤： 5%NaCl冲洗； 纯化水冲洗； 0.2%过乙酸消毒； 5%NaCl再冲洗； 纯化水再冲洗。 5%NaCl冲洗 首先用5％NaCl溶液进行冲洗，以去除膜堆中的金属离子，特别是钙离子和镁离子。 在CIP水箱中配制200L 5％NaCl溶液，使用软管连接CIP装置出水口与EDI进水口，EDI产水口和浓水口使用软管转到排水沟。 启动清洗泵，用盐溶液冲洗膜堆3分钟。 冲洗结束后，关闭清洗泵，排尽CIP水箱中的NaCl溶液。 纯化水冲洗 使用纯化水冲洗膜堆中的NaCl溶液。 在CIP水箱中注入200L纯化水，使用软管连接CIP装置出水口与EDI进水口，EDI产水口和浓水口使用软管转到排水沟。 启动清洗泵，冲洗膜堆3分钟。 0.2%过乙酸消毒 过乙酸消毒时，CIP装置与EDI采用软管进行连接，如图2所示。 图2 EDI化学消毒连接示意图 在CIP水箱中配制200L 0.2%过乙酸溶液，使用软管连接CIP装置出水口与EDI进水口，EDI产水口和浓水口使用软管连接到CIP水箱。 首先用清洗泵混合一遍过乙酸溶液，再打开阀门往EDI输送过乙酸溶液，将过乙酸溶液在EDI中循环30分钟。 循环结束后，关闭清洗泵，将膜堆浸泡在过乙酸溶液中90分钟。 最后检查清洗箱中清洗液的PH 值。如有必要，进行中和，然后排放。 再次5%NaCl冲洗 再次用5%NaCl溶液冲洗，以去除膜堆中的过乙酸溶液，并将离子交换树脂变回钠型和氯型。 在CIP水箱中配制200L 5％NaCl溶液，使用软管连接CIP装置出水口与EDI进水口，EDI产水口和浓水口使用软管转到排水沟。 启动清洗泵，用盐溶液冲洗膜堆3分钟。 冲洗结束后，关闭清洗泵，排尽CIP水箱中的NaCl溶液。 再次纯化水冲洗 再次使用纯化水冲洗膜堆中的NaCl溶液，为系统的正常运行作准备。 在CIP水箱中注入200L纯化水，使用软管连接CIP装置出水口与EDI进水口，EDI产水口和浓水口使用软管转到排水沟。 启动清洗泵，冲洗膜堆3分钟。 冲洗结束后，关闭清洗泵，断开CIP装置与EDI的连接，保持EDI产水口和浓水口直排状态。 开启制备系统，慢慢将进水阀门打开，让RO产水通过膜堆后直接排放；为了防止沉淀，最低冲洗温度为20℃，冲洗至出水电导小于0.2μ