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利兹线技术基础 外部邻近效应 相邻导体或其他电气元件中交变磁场的影响也可以引起电流偏移的效应。 与趋肤效应引起的涡流不同，外部邻近效应并不以导体为中心旋转对称。这是因为交变磁场是由外部电流产生的，所以其方向在导体任何位置几乎是一样的。这里的涡流也会引起电阻损耗，从而导致欧姆电阻明显上升。产生这些涡流所必需的能量是由外部电流引起的磁场所提供的。由于涡流和产生它的磁场之间的干扰，在任何其他相邻的导体中也会引起额外的高频损耗。? 内部邻近效应 利兹线内单股线的交变磁场将会在邻近的单股线中产生涡流，从而引起损耗。因为这些磁场由内部的单股线产生，所以称之为内部邻近效应，形式上类似于趋肤效应，其电流偏移见下图。频率的增加导致利兹线的电气损耗增加，在某些情况下甚至超过相同直流电阻的实心导体的损耗。 例如，下图显示了邻近单股线之间电流的非均匀分布（电流密度从蓝色到红色递减）。 从 到 从 到 0.06 1 0.400 0.254 1 10 0.254 0.200 10 20 0.200 0.127 20 50 0.127 0.102 50 100 0.102 0.079 100 200 0.079 0.063 200 350 0.063 0.050 350 850 0.050 0.040 850 1400 0.040 0.030 1400 3000 0.030 0.020 高频利兹线损耗的计算 高频损耗由各种损耗因素的累积影响，以及利兹线应用的工作条件所决定。因此无法用一个简单的公式进行计算，必须依靠对应用的深入理解和一些额外的工具。 交流电阻/直流电阻比率 随着频率的增加，电流越来越沿着导体表面流动。相对于直流电阻RDC，测量到的交流电阻RAC将上升。随着电阻值增大，欧姆损耗将增加，在高频下甚至可以超过直流损耗。RAC/RDC-因子是交流电阻与直流电阻的比值(RAC/RDC ≥ 1)，也是利兹线高频性能的一个指标。在给定利兹线结构的大多数情况下，RAC/RDC因子可被准确地测量或计算。根据相应的频率范围，其典型值一般为1-12。除了正确选择单线直径外，利兹线结构设计也有着同等重要的地位。 下图是具有相同的导体截面积的五种不同利兹线结构在不同频率下的RAC/RDC曲线。图表显示，随着频率的增加，交流电阻和高频损耗也将增加。频率为1 MHz时，单线线径为50 μm的利兹线结构效果最佳。不过1.29的RAC/RDC因子仍明显高于1.0的最优值。在这种情况下，首选的改进可能是选择较小的单线直径以及优化的绞合结构。 ? 线圈品质因数 品质因数衡量一个振荡的电气或机械系统的损耗的自由度。例如，较高的品质因子表示谐振能量损耗的速率较小，振动衰减得比较慢。一个装有高品质轴承的单摆在空气中运动，其品质因子较高，而浸在油中运动的单摆的品质因子则较低。 (1) 维基百科定义 一个电子谐振电路由空气线圈 (电感 L)、电容 (C)?和欧姆电阻 (R)组成。品质因数测量的是谐振总能量与其能量损耗之间的关系。高品质系统的一个重要条件是使用高品质因数的线圈(线圈品质因数QCoil)。线圈的基本损耗因素是其电阻RL,Coil，电阻将受到趋肤效应和邻近效应的影响并随频率的增加而增大。 其中: QCoil? =?~f * L / RL,Coil (f)? 其中 f = 频率 [Hz]?? L = 线圈电感 [nH] RL,Coil = 线圈电阻 [Ohm]?? ? 以单层平面线圈为例： ? ? ??????????????????????????????????????????? ? ? ?L = Lplanar? = (21,5 * N2 * 2a) / (1 + 2,72 * w/2a)? ? 其中 w = 绕组宽度 [cm] a = 平均半径 [cm] N = 匝数???? ?不同影响因素的相互干扰，使得线圈品质因数的变化趋势受到频率影响。这些因素包括： 频率 f:?线圈的品质因数随着频率的上升而增加，由于高频损耗增加，到达某个点时再次减小。通过利兹线结构（单线股数、标称直径、绞距）的调整来增加品质因数是可行的。 ? 电感 L:线圈品质因数随着电感的增加（例如随着匝数N的增加）而增大。不过在较高的频率下，增加的线圈电阻损耗RL,Coil会带来负面影响而削弱这一效应。线圈的固有电容随着匝数的增加而增大。 电阻 RL,Coil:线圈的电阻损耗受导体总截面ACu的影响。RL,Coil的减小最初会导致品质因数增大。但在较高频率时，由于高频损耗的增大，品质因数迅速降低。通过利兹线结构（单线股数、标称直径、绞距）的调整来增加品质因数是可行的。 通过测量3种不同结构的匝数为12的睿智绞线平面线圈，利兹线和线圈的结构对品质因数的影响如下面