碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法编制说明.docxVIP

行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（送审稿）编制说明 -工作简况.立工程的及意义 碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速 率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材 料的重要组成单元。“统计目录”中3. 4. 3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造 （碳化硅单晶和单晶片）；“领航”中二、主要行动-（二）4先进半导体材料明确提及建 立碳化硅标准；“指南”中三、开展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；“首批次 目录”中关键战略材料-三、第146项对应碳化硅单晶衬底。 碳化硅中痕量杂质含量是决定碳化硅材料及其器件性能的重要因素，而碳化硅不溶 于酸，因此，建立一种精确表征碳化硅中痕量杂质元素含量的检测手段对碳化硅生产过 程质量控制有重要意义。 .任务来源 2020年9月工业和信息化部下达第二批工程计划通知，文件编号：工信厅科函 [2020] 181号，下达该标准的制定任务，标准计划号2020-0718T-YS,工程起止时间 为2020年7月?2022年7月，技术归口单位为全国有色金属标准化技术委员会。由国 标（北京）检验认证负责《氮化绿化学分析方法痕量杂质元素含量的测定辉 光放电质谱法》的起草工作；由南京国盛电子提供样品、广东先导、北京清质、 贵研柏业负责验证。 .承当单位简况 国标（北京）检验认证隶属于有研科技集团，是国家新材料测试 评价平台-主中心承建单位，为中国新材料测试评价联盟秘书处挂靠单位。公司自成立 以来，积极整合完善现有测试评价、设计应用、大数据等平台资源，逐步形成立足北京、 布点全国、服务全行业的国家新材料测试评价平台。国标（北京）检验认证作 为国合通用测试评价认证股份公司的全资子公司，前身是北京有色金属研究总院分析测 试技术研究所，是国家有色金属行业最知名的第三方检验机构。国标（北京）检验认证 运营管理着国家有色金属及电子材料分析测试中心和国家有色金属质量监督 检验中心，拥有一支基础理论扎实、实践经验丰富的研究和服务队伍，自2004年至今 RhlO3 0.103 0.122 0.097 0.092 0.083 0.107 0.10 0.01 13 0.02 0.029 0.023 0.03 0.055 0.026 0.05 - 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 - - 0.005 0.005 0.002 0.004 - - 0.05 0.001 29 Pdl06 0.084 0.046 0.051 0.044 0.035 0.049 0.052 0.02 33 0.006 0.052 0.030 0.05 0.049 0.049 0.1 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 - - 0.360 0.137 0.210 0.198 - - 0.23 0.095 42 Agl07 0.062 0.078 0.051 0.059 0.045 0.032 0.055 0.016 29 0.039 0.015 0.025 0.003 0.025 0.022 0.05 - 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 - - 0.044 0.090 0.022 0.031 — - 0.072 0.057 79 Cdlll 1.491 1.455 1.811 1.054 1.224 1.539 1.4 0.263 18 - - - - — - - - 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 - - 1.544 1.946 1.257 1.630 - - 1.6 0.284 18 Snll9 0.203 0.282 0.167 0.174 0.216 0.177 0.20 0.043 21 0.156 0.157 0.304 0.202 0.061 0.123 0.2 - - 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 - - 0.319 0.278 0.135 0.211 - - 0.24 0.081 34 Sbl21 0.109 0.103 0.09 0.093 0.082 0.062 0.090 0.017 19 0.087 0.125 0.06 0.060 0.070 0.050 0.1 - 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 - - 0 0.011 0.011 0.010 - - 0.011 0.000 5 续表4 1 2 3 4 5 6 Average Std Dev RSD% Tel 22 0.389 0.381 0.335 0.239 0.394 0.391 0.35 0.061