米勒钳位的解决方法.docxVIP

问题 操作IGBT的时候米勒电容引起寄生导通，这种效应在0至+15V型栅极驱动器（单电源驱动器）中非常明显。由于这种栅极-集电极耦合，在IGBT关闭期间产生的高dV\/dt瞬态可能会导致寄生导通（栅极电压尖峰），这是潜在的危险（图1）。 当开通上级IGBT的时候，在较低的IGBT S2上发生电压变化dVCE\/dt。电流流过S1的寄生米勒电容CCG、栅极电阻器RGATE和内部栅极电阻器RDRIVE。该电流在栅极电阻器上产生压降。如果该电压超过IGBT栅极阈值电压，则会发生寄生导通。需要注意的是，IGBT芯片温度升高会导致栅极阈值电压略微降低。当S2开启时，S1上也可以看到这种寄生开启。 总结：半桥IGBT其中一个桥臂开通时候，会在另一个关闭的桥臂上因为米勒电容的存在导致栅极电压超过阈值电压从而造成误导通。 注意:直接原因是因为栅极阈值电压过高，因此改变这个就可以有效抑制米勒效应导致的误开通 二、改进方法 1.分流米勒电流的附加栅-发射极电容器： 栅和发射极之间的附加电容器CG将影响IGBT的开关行为。CG将承担米勒电容产生的额外电荷。由于IGBT的总输入电容为CG | | CCG，因此达到阈值电压所需的栅极电荷增加。 总结：增加的米勒电容会导致栅极需要的电荷增加，从而限制了开通。 此外，由于增加了电容器，所需的驱动功率增加，对于相同的RGATE，IGBT显示出更高的开关损耗。 增加阈值电压的负电源：（应用于大电流电路） 在标称电流高于100A的应用中，通常使用负栅极电压来安全关闭和阻断IGBT。由于成本原因，负栅极电压通常不用于低于100A的IGBT应用中。图3显示了使用负电源电压的典型电路。 总结，相当于抬高了栅极开通电压 为了避免CG导致的效率损失和负电源电压带来的额外成本，提出了另一种通过缩短栅极-发射极路径来防止IGBT意外导通的措施。这可以通过在栅极和发射极之间增加一个晶体管来实现。达到阈值后，该“开关”会使栅极-发射极区域短路。通过米勒电容产生的电流由晶体管分流，而不是流经输出驱动器引脚Vout（引脚11）。这种技术被称为主动米勒钳。图4显示了ACPL-332J内部框图。 工作原理：在关断期间，当栅极电压低于2V（相对于VEE）时，监控栅极电压并激活钳位输出。对于高达1100mA的米勒电流，钳位电压通常为VOL+2.5V。 图5是带Miller夹具（VCLAMP引脚）的门驱动器设计的推荐电路。 图6显示了高功率应用中使用负栅极驱动器的驱动电路。在这种情况下，不需要Miller夹紧功能，因此针脚10连接到针脚9 Vee 图7a和7b显示了带有外部缓冲配置的双电源。当IGBT栅极电流要求超出驱动IC时，需要外部缓冲级。当提供负电压电源时，通常不使用Miller钳位功能。然而，有两种可能的使用夹紧销的电路配置： 使用夹销作为二次闸门排放路径（图7a） 使用箝位引脚控制额外的PNP晶体管以吸收电流。对于大功率IGBT应用，不建议将钳位直接连接到IGBT栅极，因为内部钳位MOSFET的额定值仅为1.5A。（图7b） 总结：栅极电流超过IC内部电流的时候，将CLAMP引脚直接接到栅极前级的推挽输出下管子的PNP管的发射极上。当Vout输出低电平的时候，PNP管子导通，CLAMP相当于接到了IGBT栅极上 钳位阈值电压与VEE电压有关。如果VEE为0V，则箝位阈值为2V。如果VEE为-5V，则箝位阈值为-3V（相对于VEE电压，阈值为2V） 对于图7，可添加可选电阻器R1，以减少从驱动器吸取的电流。这将增加IGBT的开启/关闭时间。如果不需要，R1应短路。可选电阻器R2可以被添加，以允许驱动器和缓冲器向IGBT提供电流。R2可以开路，以防止电流从驱动器流向IGBT。 图7b。带有负栅极驱动的大型IGBT栅极驱动、用于大电流的外部缓冲器和用于控制大功率应用的二次放电路径的有源箝位