第四章 透射电子显微镜成象原理1（下）.pptVIP

的晶面上,层错面上、下方是位向相同的两块理想晶体，但下方晶体相对于上方晶体存在一个恒定的位移R,如在面心立方晶体中，层错面为{111}，其位移矢量R=±1/3＜111＞或±1/6 ＜112＞. 对于R= 1/6 [112]的层错: α=2π g · R= 2π(ha+kb+lc) ·(a+b+c)/6 = π(h+k+2l)/3 ∵面心立方晶体衍射晶面的h,k,l为全奇或全偶, ∴ α只可能是0,2 π,或± 2 π /3,如果选g=[111]或[311]等,层错将不显示衬度;但若g为[200],[-200] 等, α= ±2 π/3,可以观察到这种缺陷。 下面以α= -2 π/3（-120°）为例，说明层错衬度的一般特征。 设薄膜内存在倾斜于表面的层错，它与上、下表面的交线分别为B和A，此时，层错区域内的衍射振幅可由下式表示： A′(t) =∫0t1e-2 πisz+ ∫t1t2e-2 πisz e-iz dz = ∫0t1e-2 πisz+ e-iz ∫t1t2e-2 πisz dz 一般情况下，︳A(t) ︱= ︳ A′(t) ︱ 在振幅位相图中，无层错区A(t) = A(t1) + A(t2) 。 对于层错区域，晶体柱在m位置（相当于t1深度）发生α= -2 π/3的位向角突变，所以下部分晶体厚度元的散射波振幅将在第一个以O2为圆心的圆周上移动到θ′，其半径仍为（2 πs)-1,于是它的合成振幅A ′(t) = A(t1) + A ′(t2)。 从圆面看出虽然︳A(t) ︱= ︳ A′(t) ︱,但A ′(t) ≠ A(t),此时存在衬度差别. 如果t1=n/s, A ′(t) = A(t)亮度与无层错区域相同. 如果t1=(n+1/2)/s,则A ′(t)为最大或最小,可能大于,也可能小于A(t).但肯定不等于A(t).基于上面 的分析.运动学理论告诉我们:倾斜于薄膜表面的堆垛层错,显示为平行于层错上\下表面交线的亮暗条纹其深度周期也为t g=1/s. 位错引起的衬度 位错时晶体中原子排列的一种特殊组态,处于位错附近的原子偏离正常位置而产生畸变,但这种畸变与层错情况不同.位错周围应变场的变化引入的附加相位角因子是位移偏量R的连续分布函数,而层错则是不连续的,例如层错[111]/3型, α= 0,2 π,± 2 π /3.而位错线的α值,则随着离位错线的距离不同而连续变化.位错线有刃位错和螺 旋位错两种,刃位错的柏氏矢量b与位错线垂直,螺旋位错则相互平行.它们都是直线.但由于刃型位错和螺旋位错合成的混合位错,其柏氏矢量与位错线成某以角度,形态为曲线.实际观察到的多为曲线型混合位错.不管是何种类型的位错,都会引起在它附近的某些晶面的转动方向相反,且离位错线愈远,转动量愈小.如果采用这些畸变的晶面作为操作反射,则衍射强度将受到影响,产生衬度. 位错结构参看图. 在这里,我们只定性的讨论位错线衬度的产生 及其特征. 参看下图. 如果(hkl)是由于位错线D而引起局部畸变的一组晶面,并以它作为操作反射用于成象.其该晶面于布拉格条件的偏移参量为S0,并假定S00,则在远离位错线D的区域(如A和C位置,相当于理想晶体)衍射波强度I(即暗场中的背景强度).位错引起它附近晶面的局部转动,意味着在此应变场范围内,(hkl)晶面存在着额外的附加偏差S′.离位错线愈远, ︳ S′︱愈小,在位错线右侧S′0,在其左侧S′0,于是,参看上图b),c),在右 侧区域内(例如B位置),晶面的总偏差S0+S′S0,使衍衬强度IBI; 而在左侧,由于S0与S′符号相反,总偏差S0+S′S0,且在某个位置(例如D′)恰巧使S0+S′=0,衍射强度I D′=Imax. 这样,在偏离位错线实际位置的左侧,将产生位错线的象(暗场中为亮线,明场相反).不难理解,如果衍射晶面的原始偏离参量S00,则位错线的象将出现在其实际位置的另一侧.这一结论已由穿过弯曲消光条纹(其两侧S0符号相反)的位错线相互错开某个距离得到证实. 位错线像总是出现在它的实际位置的一侧或 另一侧,说明其衬度本质上是由位错附近的点阵畸变所产生的,叫做“应变场衬度”. 而且,由于附近的偏差S′随离开位错中心的距离而逐渐变化,使位错线像总是有一定的宽度(一般在30~100?左右).尽管严格来说,位错是一条几何意义上的线,但用来观察位错的电子显微镜却并不必须具有极高的分辨本领.通常,位错线像偏离实际位置的距离也与像的宽度在同一数量级范围内. 对于位错衬度的上述特征,运