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MOSFET的工作原理介绍（上） MOSFET全称：金属（metal ）-氧化物（oxide ）-半导体 （semiconductor ）场效应（field-effect transistor ）晶体管, MOS结构毫无疑问是当今微电子技术的核心结构。早在20世纪60年代，Kahng和Atalla首次报道了这种结构,即现在的平面结构器件 MOSFET ,该结构具有热生长成的SiO2绝缘栅、外表反型沟道，以及衬底掺杂相反的源、漏区。下面将仔细介绍MOSFET的结构和电学特 性。 MOS: Metal-Oxide-Semiconductor MOS capacitorMOS transistor 功必Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits (C. Hu)图1 MOS电容和MOS晶体管 功必 首先介绍下MOS电容,如下列图所示，MOS电容由硅衬底和金属栅级之间夹一层薄Si02组成，常用的栅极材料是铝（AI ）或重掺杂多 晶硅（poly ）,第二层金属沿着半导体反面，作为硅衬底的接地接触。 金属/多晶硅二氧化硅 单晶硅功惮 图2 MOS电容结构示意图 理想MOS结构具有以下特点：（1 ）金属栅足够厚，在交流和直 流偏置条件下可以看作一个等电势区；（2）氧化层是一个完美的绝缘 体，在所有偏置下都没有电流流过氧化层；（3）在氧化层或氧化层- 半导体界面没有电荷中心；（4）半导体均匀掺杂；（5）半导体与器 件反面金属之间处于欧姆接触。 下面介绍MOS电容外加偏置的分析，假设正常工作情况下，硅衬 底为N型，MOS电容反面接地，Vg定义为加到栅极上的直流偏置， 首先仅从电荷角度分析： 当Vg0时，MOS电容栅上有正电荷，为了保持电荷平衡，半导 体-绝缘体界面会感应带负电的电子，从而导致半导体中的电子浓度由 体内向氧化层-半导体界面增加，这种在氧化层-半导体界面附近多数载 流子浓度大于半导体体内浓度的情况一般称为“累积。 当Vg0时，意味着栅极加了负电荷，同理电子会被从氧化层-半 导体界面排斥开,留下带正电的施主杂质离子，电子被耗尽，这种氧 化层-绝缘层界面处电子和空穴浓度均小于背景掺杂浓度（NA , ND ） 被称为〃耗尽。 当Vg0时，意味者MOS电容栅极上加越来越大的负偏置，氧 化层-半导体界面外表不再耗尽，外表区域的性质将从N型变为P型， 少数载流子的浓度超过衬底多数载流子浓度，这种情况称为反型。 以上只是定性分析n型掺杂MOS电容的累积，耗尽，反型 三种不同的偏置区，接下来从能带角度分析P型掺杂MOS电容的偏 置。 金属的费米能级和单晶硅的费米能级是不同的，以P型半导体为例： 真空能级金属费米能级 半导体费米能级 价带二氧化硅 图3 P型掺杂金属和半导体初始费米能级图 由于金属和半导体两侧的功函数（费米能级到真空能级的距离）不 同，在热平衡时真空能级会发生弯曲（出现自建电场），形成同一的 费米能级。金属的载流子密度远远大于半导体，金属侧的电荷密度也 就远远大于半导体，所以可以近似认为能带弯曲仅发生在半导体和二 氧化硅一侧： 真空能级导带 真空能级 导带 半导体费米能级 价带 真空能级导带半导体费米能级 价带二氧化硅图 真空能级 导带 半导体费米能级 价带 二氧化硅 两侧真空能级的差异，被称为平带电压(Vfb0) o 接下来考虑半导体外表的载流子分布。由图可知，在接触面附近半 导体的费米能级相对于价带被抬高了，这意味着在接触面附近电子的 浓度增加了，空穴的浓度减少了。 如果我们在金属上施加等于一个平带电压的反向偏压(Vg=Vfb ), 此时能带恢复到原始状态，氧化层-半导体界面载流子浓度等于掺杂浓 度，此时状态称为平带状态。 金属费米能级真空能级导不转体费米解二氧化硅 金属费米能级 真空能级 导不 转体费米解 图5 P型掺杂金属和半导体施加平带电压费米能级图如果我们在金属栅施加小于平带电压的偏压（VgbvVfb ）,将金属侧的 真空能级抬升至半导体侧的真空能级以上，此时的半导体在接触面附近的费米能级会降至初始的费米能级以下。此时氧化层-半导体界面的空穴浓度上升，超过掺杂浓度，由于氧化层-半导体界面的多数载流子浓度上升，多数载流子开始积累，我们称为偏压大于平带电压的情况为累积状态。 金属费米能级二氧化硅真空能级导带 金属费米能级 二氧化硅 半导体费米能级 价带图6 P型掺杂金属和半导体累积状态费米能级图 当偏压大于平带电压的时候（VgbVfb ）,氧化层-半导体界面载 流子浓度下降，由于载流子浓度小于掺杂浓度，导致半导体外表出现 空间电荷区（也就是耗尽区）,这时候我们称半导体进入耗尽状态。 假设半导体费米能级与本征费米能级之间的差值为Vs ,如果我们 施加的偏压Vg