集成电子学(第六章).pptVIP

图6.42给出了n+-p+双栅MOSFET工作模式与栅电压和漏电压的关系。图中Q1表示n+栅对应的MOS管，Q2表示p+栅对应的MOS管。off表示截止区，S表示饱和区，L表示线性区。从图中可以看出，同样栅电压下VDsat2总是小于VDsat1，因为VT2大于VT1。 通过二维数值模拟分析了栅长0.1μm的双栅MOSFET的短沟道效应，随着硅厚度的增大亚阈值斜率也增大，但是n+-p+双栅器件的亚阈值斜率增长比p+-p+双栅器件小很多。这说明n+-p+双栅器件比p+-p+双栅器件性能优越，不仅有利于获得合活的阈值电压, 而且更有利于抑制短沟道效应。 n+-p+双栅器件特征长度 p+-p+双栅器件特征长度 以L/(2λ)=3得出设计窗口 如果确定了沟道长度和栅氧化层厚度，可以根据图6.46选合适的硅膜厚度。例如L =0. lμm, tox=3nm，则tSi应取15nm才能获得合适的阈值电压。这组设计参数模拟得到的特性与模拟公式得到的ID完全一致。 对源、漏延仲区的结深和方块电阻只能采取折中考虑。 由于FDSOI器件有很厚的埋氧化层。厚的埋氧化层加强了源、漏之间的耦合，减弱了栅的控制，因此随着沟道长度缩短，SOI器件的亚阈值斜率最终又回到体硅器件的情况 。而SON器件有很薄的埋绝缘层，沟道长度可以减小到 20nm 。 因为SON器件的埋绝缘