集成电路材料与器件物理基础综述.pptVIP

Fundamentals of IC Analysis and Design(2) 材料与能源学院微电子材料与工程系 第二章 集成电路材料与器件物理基础 §2.1-2.3 略 §2.4 PN结及结型二极管 §2.5 双极型晶体管 §2.6 MOS晶体管 §2.7 MESFET 集成电路材料 分类 材料 电导率（S/cm） 导体 铝、金、钨、铜等，镍铬等合金，重掺多晶硅 ~105 半导体 硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓 10-9 ~102 绝缘体 SiO2、Si3N4 10-22 ~10-14 §2.4 PN结 了解pn结的意义 pn结---多数半导体器件的核心单元 电子器件： 整流器 (rectifier) 检波器 (radiodetector) 双极晶体管 (BJT) 光电器件： 太阳能电池 (solar cell) 发光二极管（LED） 半导体激光器 （LD） 光电二极管(PD) 突变结 线形缓变结 p n 根据杂质浓度的分布，可以划分为： 同质pn结 异质pn结 根据结两边的材料不同，可划分为： 通过控制施主与受主浓度的办法，形成分别以电子和空穴为主的两种导电区域，其交界处即被称为p-n结。 pn 结的结构 在接触前分立的P型和N型硅的能带图 pn 结形成的物理过程 电子 空穴 扩散 eVbi （b）接触后的能带图 平衡态