反应磁控溅射沉积SiOx薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性分析.docxVIP

反应磁控溅射沉积SiOx薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性分析 用射频磁控溅射法在纯氩气或氩气/ 氧气混合气体中溅射纯硅靶制备SiOx (x 2) 薄膜。X射线光电子谱(XPS) 分析证实,射频功率对x 值起决定作用。当射频功率低时,所制备的薄膜是化学计量比的SiO2 ,通过调节氧气分压调节x 值非常困难。只有当射频功率较高时,才可以通过调节氧分压调节x 值。实验结果证实了射频反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc-Si/SiO2) 的前驱体SiOx 膜。文中讨论了相关机制。  当纳米晶硅尺寸小于5nm 时,镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si/SiO 2 ) ,在室温下会发射可见光 ,并且具有光增益特性 ,这种性质使得二氧化硅介质包裹的纳米晶硅成为全硅基光电器件和硅激光器的理想材料。制备nc-Si/ SiO2 的主要方法之一是先制备SiOx (x 2) 薄膜,然后在1100 ℃氮气中退火,由于SiOx发生相分离,形成纳米晶硅包裹在二氧化硅介质中的构造。相分离可用下式表示:  从上式中可以看出,如果x 值接近2 ,那么将没有硅晶粒形成。SiOx 薄膜可以用很多方法制备,如化学气相沉积(CVD) ,真空蒸发SiO ,Si 4 +注入SiO2,激光烧蚀,共溅射Si 和SiO2或反应磁控溅射法溅射纯硅靶等,和其它方法相比,很