第四章场效应管及其放大电路.pptVIP

绝缘层中渗入了正离子 P N+ S G D N+ ? ? ? ? ? ? ? ? 出现反型层 形成导电沟道 第62页，共108页，编辑于2022年，星期二 导电沟道增宽 a. 导电沟道变窄 b. 耗尽型MOS管可以在uGS为正或负下工作。 P N+ S G D N+ ? ? ? ? ? ? ? ? + – 第63页，共108页，编辑于2022年，星期二 2．伏安特性与参数 2 4 0 6 10 20 可 变 电 阻 区 放大区 截止区 a．输出特性曲线 第64页，共108页，编辑于2022年，星期二 b．转移特性曲线 函数表达式 转移特性曲线 0 工作于放大区时 第65页，共108页，编辑于2022年，星期二 增强型与耗尽型管子的区别： 耗尽型：uGS=0时，结构中已存在沟道 增强型： 当 时，无沟道产生 当 时， 总结 uGS↗后，沟道产生 开门电压 夹断电压 JFET符号 N沟道 P沟道 第66页，共108页，编辑于2022年，星期二 MOSFET符号 增强型 耗尽型 G S D S G D P沟道 G S D N沟道 G S D 第67页，共108页，编辑于2022年，星期二 场效应管的特点（与双极型三极管比较） （1）场效应管是一种电压控制器件，即通过改变外加电压uGS来控制电流iD； 具体JFET是利用半导体内部的电场效应进行工作，称其为体内场效应管； MOSFET是利用半导体表面的电场效应进行工作，称其为表面场效应管； 而双极型三极管是一种电流控制器件，即通过iB来控制iC （2）场效应管的输入端电流iG几乎为零，输入电阻非常高。 而双极型三极管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。 第68页，共108页，编辑于2022年，星期二 （4）场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定性较好，且存在零温度系数工作点。 （3）场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的。 而在双极型三极管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。 （5）场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在制造时已连在一起的MOS管）漏极和源极可以互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、灵活。 第69页，共108页，编辑于2022年，星期二 （6）场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。 每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极性三极管5%。 （7）场效应管的跨导gM小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性三极管低。 （8） 由于MOS管的输入电阻高，由外界感应产生的电荷不易泄露，而栅极上的绝缘层又很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层的击穿而损坏管子。 第70页，共108页，编辑于2022年，星期二 2. 绝缘栅场效应管的栅极为什么不能开路？ 思 考 题 1. 试比较三极管和场效应管的异同点。 第71页，共108页，编辑于2022年，星期二 4.4 场效应管放大电路 场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 器件的应用→构成放大电路→对应有三种组态（*共源、共栅、共漏） 为保证对交流动态小信号不失真的放大，也须建立合适且稳定的静态工作点Q，由于FET是电压控制器件，必须建立合适的偏置电路，提供合适的栅源偏置电压UGS，从而确定Q。由此产生了不同偏置方式的场效应管放大电路。 第72页，共108页，编辑于2022年，星期二 一 不同偏置方式的共源放大电路 电路中常用的耦合方式 阻容耦合 变压器耦合 直接耦合 一种典型的阻容耦合共源极放大电路 + _ + + + _ + ? 场效应管常用的偏置方式 自给偏压 分压式偏置 1．自给偏压式 电路结构： 第73页，共108页，编辑于2022年，星期二 IDQ USQ= IDQ RS UGSQ= -IDQ RS (1) 直流通路 (2)自给偏压原理：无RS时，有RS时 + _ + _ 当调节RS，可以得到合适的栅源控制电压UGS，建立合适的Q。 栅源控制电压UGS是依靠管子自身电流ID产生的，故称之为自给偏压式。 此偏置方式适用于耗尽型器件（共四钟） 第74页，共108页，编辑于2022年，星期二 2．分压式偏置放大电路 (1) 电路结构：核心元件是增强型NMOS,新增加了两个分压电阻RG1、RG2。通过二者对VDD的分压，提供稳定的栅极电位VG。 ? RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - 第75页，共108页，编辑于2022年，星期二 图中 (2)分压式偏置放大电路的直流通路 + _ + _ + _ _ + 当适当选取各电阻值，可得到合适的偏压值UGS，确定Q