原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体后封装 及工艺设备;;传统半导体封装的工艺流程;封装技术发展方向;晶圆级芯片封装WLCSP （Wafer Level Chip Scale Packaging） ;圆片级CSP产品的封装工艺流程 ;TSV 技术__第四代封装技术;TSV互连的3D芯片堆叠关键技术;TSV的研究动态 ;
铜通孔中, TiN粘附/阻挡层和铜种子层都通过溅射来沉积。然而,要实现高深宽比(AR 4∶1)的台阶覆盖,传统的PVD直流磁控技术效果并不令人满意。基于离子化金属等离子体( IMP)的PVD 技术可实现侧壁和通孔底部铜种子层的均匀沉积。由于沉积原子的方向性以及从通孔底部到侧壁溅射材料过程中离子轰击的使用, IMP提供更好的台阶覆盖性和阻挡层/种子层均匀性。由于电镀成本大大低于PVD /CVD,通孔填充一般采用电镀铜的方法实现。
--- 3D封装与硅通孔( TSV)工艺技术;;中国大陆半导体封装测试产业 前十大厂商; AMAT endura 5500;Varian 3290 STQ Sputtering System;denton vacuum discovery 635/785;denton vacuum Phoenix ;AJA公司 ATC-B-3400-H;Unaxis公司 LLS EVOⅡ;Unaxis Cluster Line200;TSV1200-S型磁控溅射镀膜机;MSP-3200 型全自动磁控溅射镀膜设备;
文档评论（0）