微电子工艺第5章 离子注入.pdfVIP

1 第五章离子注入 5.1 概述 5.2 离子注入原理 5.3 注入离子在靶中的分布 5.4 注入损伤 5.5 退火 5.6 离子注入设备与工艺 5.7 离子注入的其它应用 5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 2 5.1 概述  什么是离子注入： 将原子电离，在强电场作用下离 子被加速射入靶材料的表层，以 改变这种材料表层的性质。 离子注入工艺： 用离子注入方法，将一定剂量的 Ⅲ、Ⅵ族杂质注入到半导体晶片 的特定区域，再进行退火，激活 杂质，修复晶格损伤，从而获得 所需的杂质浓度，形成pn结。 3 离子注入工艺特点 杂质浓度分布与总量可控性好； 是非平衡过程，不受固溶度限制；  注入杂质纯度高，能量单一，洁净度好；  室温注入，避免了高温过程对靶片的影响； 杂质分布的横向效应小，有利于器件尺寸的缩小； 离子注入会造成晶格缺陷，甚至非晶化，即使退火也以难完全消除； 是单片工艺，生产效率低、成本高； 设备复杂、价格昂贵。 4 5.2 离子注入原理 5.2.1 与注入离子分布相关的几个概念 射程R ：离子在靶内移动的总路线长度； 投影射程xP ：在入射方向上离子射程的投影距离 射程的横向分量x ：在与入射方向垂直的方向上离子射程的投影距离 i R=l +l +l … 1 2 3 5 5.2.1 与注入离子分布相关的几个概念 射程分布：大量入射离子投影射程的 统计分布，即靶内入射离子浓度分布  平均投影射程（R ）：正是离子浓度 p 最大值位置 投影射程标准偏差（R ）：是平均投 p 影射程的统计波动  横向标准偏差（R ）：是射程的平 均横向分量的统计波动。 注入离子的二维分布 6 5.2.2 离子注入相关理论基础 在集成电路制造中，注入离子的能量一般为5~500keV，进入靶内 的离子不仅与靶内的自由电子和束缚电子发生相互作用，而且与靶 内原子核相互作用。  LSS理论认为注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的部分： 入射离子与原子核的碰撞，即核阻挡的能量损失过程； 入射离子与电子的碰撞，即电子阻挡的能量损失过程。 7 1、核碰撞 碰撞参数 p ≤r +r 1 2  能量为E的一个注入离子与靶原 子核碰撞，离子能量转移到原 子核上，结果使离子改变运动 方向，而靶原子核可能离开原 位，成为间隙原子，或只是能 量增加。 核阻止本领（Sn