场效应管放大电路.pptVIP

7. 场效应管的主要电参数 直流参数： (1) 开启电压VT：是vDS 等于测试条件规定的某一值，使iD 开始等于规定的微小测试电流时的vGS 值。 VT是增强型MOSFET的参数。 (2) 夹断电压VP：是vDS等于测试条件的规定值，使iD 减小到微小测试电流时的vGS 值。 VP是耗尽型场效应管的参数。 (3) 饱和漏极电流IDSS：也称为零偏漏极电流，是耗尽型场效应管的参数，是vDS一定（大于VP），vGS=0时的漏极电流。 (4) 直流输入电阻RGS(DC)：结型的RGS(DC)一般大于107Ω，绝缘栅型管一般大于109Ω 。;7. 场效应管的主要电参数 交流参数： (1) 低频跨导gm：定义为vDS一定时，iD的变化量与引起其变化的vGS变化量之比，即;8. 场效应管的符号和伏安特性 （因 iG =0，无输入特性）;8. 场效应管的符号和伏安特性;0; (2) 转移特性 iD = ?(vGS)| vDS 一定;10. 场效应管与晶体管的比较;10. 场效应管与晶体管的比较;4.4 场效应管基本放大电路;2. 偏压形式 (1) 自给偏压式偏置方式 它利用场效应管导通时的漏极电流IDQ在RS上的电压降作偏置电压，即VGSQ= –IDQRS。这种偏置方式只适用于耗尽型场效应管。;?;3. 场效应管放大电路的三种基本组态 与双极型晶体管的三种基本放大电路（共射、共集电极、共基极放大电路）相对应，场效应管的三种基本放大电路是：共源极放大器、共漏极放大器（也称为源极输出器或源极跟随器）和共栅极放大器。 共源极放大器的信号从栅极输入、从漏极输出；共漏极放大器的信号从栅极输入、从源极输出；共栅极放大器的信号从源极输入、从漏极输出。;4. 场效应管放大电路的三种基本分析方法 解析法（类似于估算法）、图解法和微变等效电路法。 由于场效应管偏置方式与双极型晶体管有区别，所以无论用解析法，还是图解法分析计算其静态工作点的过程都与晶体管放大电路的有区别。;4.5 分析计算的基本依据;2. 转移特性（FET工作于恒流区时）的近似数学表达式 (1) 耗尽型 iD =IDSS(1– )2 (2) 增强型 iD =K(vGS – VT )2 或 iD =IDD( – 1 )2 式中，K是常数，可以在已知曲线上某点的ID、VGS值时，将其代入到转移特性函数表达式后求得；IDD是vGS=2VT时的iD值。;3. 利用转移特性的函数表达式求跨导 (1) 耗尽型 gm = = √IDSSiD (2) 增强型 gm = =2√K iD = √IDDiD 由于求gm的目的，常常是用来计算场效应管放大电路的AV、RO等，所以应该求Q点处的gm，故上面式子中的iD一般应该用IDQ代入。;4. 偏置电路的解析法分析 (1) 自给偏压 解方程组 可求得IDQ和VGSQ。 又有 VDSQ=VDD – IDQ(RD + RS);4. 偏置电路的解析法分析 (2) 分压式偏置电路 解方程 或 可求得IDQ和VGSQ。又有 VDSQ=VDD – IDQ(RD + RS) ;偏置电路的图解分析法 对于前面的自给偏压和分压式两种偏置电路，输出回路直流负载线方程均为 vDS = VDD – iD(RD + RS) 自给偏压电路的输入回路直流负载线方程为 vGS = – iD RS 上述分压式偏压电路的输入回路直流负载线方程为 vGS = VDD – iD RS ;偏置电路的图解分析，即静态工作点图解分析过程如下： (1) 根据输出回路的直流负载线方程，在输出特性曲线上作输出回路直流负载线。; 作该直线可先找出两个特殊的点，即id = 0、vDS = VDD在横轴上坐标值为VDD的那一点；以及vDS = 0、 id = VDD/(RD+RS)在纵轴上坐标值为VD