利用MirrorBitQuad技术提高闪存存储容量.docxVIP

PAGE 1 PAGE 1 利用MirrorBitQuad技术提高闪存存储容量 半导体行业的领导企业已经承认氮化物存储的潜力，由于他们正面临以更低的成本和更高的性能生产更高容量存储产品的挑战。Spansion公司在每单元两位的技术上获得胜利，加之浮栅技术在满意更小工艺节点上可以预见到的问题，已经激起业界对氮化物存储技术的爱好和讨论。Spansion已经开头生产业界首款可商用的每单元4位的技术- Spansion MirrorBit Quad。MirrorBit Quad在一种非导电的氮化物存储介质上存储两种不同数量的电荷，与浮栅技术相比，具有成本、牢靠性和制造上的根本优势。 MirrorBit单元与浮栅单元具有很大的不同，由于它通过在存储单元的两个相反的面上存储两个物理上不同的电荷使存储容量倍增。标准的浮栅单元使用具有导电性的多晶硅浮栅来保存电荷，MirrorBit单元采纳了一种非导电氮化物存储介质来避开不同的电荷流淌到一起，在整个存储介质中进行均衡。因此MirrorBit技术消退了使用浮栅的问题，这改善了牢靠性，削减了工艺步骤。通过在单元内开发均衡的、可互换的源和漏极区，产生了两个物理上不同的非交互的电荷存储区，每个区代表一个信息位，直接映射到存储器阵列，每个单元包含两个信息位。 MirrorBit技术的简洁工艺技术与浮栅相比的另外一个差别是规律有效的集成，通过将很高