第七章光辐射的探测及成像技术.pptxVIP

第七章光辐射的探测及成像技术;光电探测技术基础;光电探测的物理效应 ;光电探测的物理效应 ;光电探测的物理效应;外光电效应——光电发射效应 ;外光电效应——光电发射效应 ;;外光电效应——光电发射效应;外光电效应——光电发射效应;外光电效应——光电发射效应;内光电效应 ;内光电效应—光电导效应;;代入上式,得光电流平均值为 ;;指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。产生这种电位差的机理有多种,主要的一种是由于阻挡层的存在引起的,我们就以P-N结???例来分析光伏效应。;并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设N区中空穴在其寿命?p时间内扩散距离为Lp,P区中电子在?e时间内扩散距离为Le,一般情况下L=Lp+Le远大于P-N结宽度,因而可得,结附近平均扩散距离L内所产生的光生载流子对光电流有贡献,此外的电子-空穴对在扩散过程中将复合掉,对P-nN结光伏效应无贡献。;;光热效应 ;光热效应 ;光热效应;光热效应;光热效应;光热效应;光探测器性能参数 ;光探测器性能参数 ;光探测器性能参数;光探测器性能参数;光探测器性能参数;光探测器性能参数;光探测器性能参数;光电探测方式 ;直截了当探测与外差探测 ;直截了当探测与外差探测 ;两种探测方式性能分析 ;两种探测方式性能分析;两种探测方式性能分析;两种探测方式性能分析;两种探测方式性能分析;两种