单片机原理及接口技术 第2章 MCS-51单片机的硬件结构.pptVIP

DIP (Double In-line Package) * 40只引脚按功能分为3类： （1）电源及时钟引脚: Vcc、Vss；XTAL1、XTAL2。 （2）控制引脚： PSEN*、EA* 、ALE、RESET （即RST）。 （3）I/O口引脚：P0、P1、P2、P3，为4个8位I/O口的外部引脚。 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)封装,带引线的塑料芯片载体.表面贴装型封装之一,外形呈正方形,32脚封装,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形,是塑料制品,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小、可靠性高的优点. * 1、 LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路； 2、 LS是TTL电平，HC是COMS电平。 3、 LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路， hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、 LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。 5、 工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V； 6、 电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8V和2.4V，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的 7、 驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA； 8、 CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。 VCC表示连接到三极管集电极（C）的电源。VEE表示连接到三极管发射极（E）的电源。 VDD表示连接到场效应管的漏极（D）的电源。VSS表示连接到场效应管的源极（S）的电源。 通常VCC和VDD为电源正，而VEE和VSS为电源负或者地。 TTL：全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 TTL门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。 TTL电平信号: TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。 TTL输出高电平2.4V，输出低电平0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平=2.0V，输入低电平=0.8V，噪声容限是0.4V。 TTL电路是电流控制器件，TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 * 2.5 并行I/O端口 MCS-51共有4个双向的8位并行I/O端口(Port) ，记作P0～P3 。 端口的每一位均由锁存器、输出驱动器和输入缓冲器组成。 属于特殊功能寄存器，除了可以按字节寻址外，还可位寻址。 2.5 并行I/O端口 2.5.1 P0端口 P0口某一位的电路包括： (1) 一个数据输出锁存器，用于数据位的锁存。 (2) 两个三态的数据输入缓冲器。 (3) 一个多路转接开关MUX，使:P0口可作通用I/O口，或地址/数据线口。 (4) 数据输出的驱动和控制电路，由两只场效应管（FET）组成，上面的场效应管构成上拉电路。 2.5.1 P0端口 2 1 D Q CP /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时，此脚作地址/数据复用口：（1）输出地址/数据