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泓域咨询/宿州刻蚀设备项目可行性研究报告
宿州刻蚀设备项目
可行性研究报告
xxx有限公司
报告说明
在先进的集成电路制造技术中用于刻蚀关键层最主要的刻蚀方法是单片处理的高密度等离子体刻蚀技术。根据产生等离子体方法的不同,等离子体刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀(CCP)、电感性等离子体刻蚀(ICP)、电子回旋加速震荡(ECR)和双等离子体源。
根据谨慎财务估算,项目总投资19672.08万元,其中:建设投资14690.84万元,占项目总投资的74.68%;建设期利息164.52万元,占项目总投资的0.84%;流动资金4816.72万元,占项目总投资的24.49%。
项目正常运营每年
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