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模拟电子技术基础 【第1章 二极管及其应用】 目 录 1.1 半导体基础知识 CONTENTS PN 结及其单向导电性 1.2 1.3 半导体二极管 半导体二极管的等效模型和应用 PART 04 半导体二极管的等效模型和应用 1.4 1.5 特殊半导体二极管 学 习 目 （1）了解本征半导体和杂质半导体的导电特性。 （2）理解PN结的形成，掌握PN 结的特性。 标 （3）了解二极管的结构、类型，掌握二极管的伏安特性。 （4）掌握二极管电路的分析方法。 （5）了解稳压管、光电二极管、发光二极管的工作原理。 （6）掌握用万用表检测二极管的方法。 01 半导体基础知识 1.1 半导体基础知识 在物理学中，物质的导电特性取决于其原子结构，根据材料的导电能力，可以将它们划分为导体、 绝缘体和半导体。 导体一般为低价元素（如金、银、铜、铁等金属），其最外层电子受原子核的束缚力很小，极易 挣脱原子核的束缚而成为自由电子，因此，在外电场作用下，这些电子产生定向运动（称为漂移运 动），形成电流，呈现出较好的导电特性。 绝缘体为不容易导电或者完全不导电的物体，一般为高价元素（如惰性气体）和高分子物质（如 橡胶、塑料、陶瓷、玻璃等），其最外层电子受原子核的束缚力很强，极不易挣脱原子核的束缚而成 为自由电子，所以其导电性极差。 半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅（Si）、锗（Ge）、金属氧化物等，它们 原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 1.1 半导体基础知识 1.1.1 本征半导体 具有晶体结构的纯净半导体被称为本征半导体。晶体通常具有规则的几何形状，在空间中按点阵（晶 格）排列。最常用的半导体材料为硅（Si）和锗（Ge），都是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 下图为硅和锗的原子结构示意图，从图中可以看出它们每一个原子核外都有4个价电子。在硅或锗的 本征半导体中，由于原子排列的整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相邻原子所共有，形成 共价键结构。在绝对温度 T ＝0 K 时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子， 因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 （a）硅原子结构示意图 （b）锗原子结构示意图 硅和锗的原子结构示意图 1.1 半导体基础知识 左图所示为共价键的结构（平面）示意图。当温度升高或受到光的照射时，共价键中的价电子由于热 运动而获得能量，其中少数价电子能够摆脱共价键的束缚而成为自由电子，这种现象称为热激发，同时必 然在共价键中留下空位，称为空穴。空穴带正电，本征半导体产生热激发时，电子和空穴成对出现。 右下图所示为自由电子和空穴的形成示意图。实际上半导体晶体结构是三维正四面体结构。 共价键结构示意图 自由电子和空穴的形成 1.1 半导体基础知识 若有外加电场的作用，有空穴的原子将吸引相邻原子的 价电子填补这个空穴，于是会出现新的空穴，如右图所示。 空穴的移动形成空穴电流，空穴与自由电子的运动反向相反， 但在同一外电场作用下形成的电流方向相同。 由此可见，半导体中存在两种载流子：带负电的自由电 子和带正电的空穴。本征半导体中，自由电子和空穴是同时 成对产生的，称为电子-空穴对，在一定温度下，两种载流子 浓度相等。 在一定温度下，载流子的产生过程和复合过程达到动态 平衡。温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增 空穴和自由电子的运动 强。由此可