脉冲线圈设计模板.docVIP

大小 塑造 圈数 线径、截面积 电感 电阻 O 120毫米 圆 36 ?0.40毫米/ 0.14毫米2 405μH 1.9欧姆 ?150毫米 圆 31 ?0.40毫米/ 0.14毫米2 394μH 2.0欧姆 O 175毫米 圆 28 ?0.40毫米/ 0.14毫米2 387μH 2.1欧姆 ?200毫米 圆 26 ?0.40毫米/ 0.14毫米2 406μH 2.2欧姆 ?250毫米 圆 22 ?0.40毫米/ 0.14毫米2 380μH 2.3欧姆 ?300毫米 圆 20 ?0.50毫米/ 0.20毫米2 390μH 1.6欧姆 ?400毫米 圆 17 ?0.50毫米/ 0.20毫米2 396μH 1.8欧姆 ?500毫米 圆 15 ?0.50毫米/ 0.20毫米2 400μH 2.0欧姆 1.0×1.0米 方 10 ?0.66毫米/ 0.34毫米2 406μH 2.0欧姆 1.4×1.4米 方 8 ?0.66毫米/ 0.34毫米2 387μH 2.2欧姆 1.8×1.8米 方 7 ?0.80毫米/ 0.50毫米2 398μH 1.7欧姆 在此表中的值是理论值，。?尤其是电感量可以由线与线之间的距离变化，即使是电感量有不同的变化。?，即使电感不同，这里提到的值的10％或20％，线圈都能正常运作，?圆形线圈选用漆包铜线。线径0.4到0.5mm是常见的厚度，在每个城市的角落都可以买得到，如果方形线框要用电缆的话，可以用8*0.4或者8*0.5线径的电缆，但?一定要购置没有屏蔽的。 电曲线和歧视的 ?线圈的放电曲线图可以被分为三个局部。 第1阶段：在驱动MOSFET的击穿效应 大多数脉冲金属探测器使用MOSFET，通过线圈的电流脉冲来调节。?我们的设计也将采用MOSFET FOT这个任务。?如果MOSFET被关闭时，电流由线圈中并联的电阻中的产生回路，该回路应与线圈的电感?对于理想的阻尼的400μH线圈，使用约680欧姆的电阻器。?300μH的电感线圈应并联一个600欧姆的电阻。?如果我们加在线圈中的电流到达2安培的，与一个680欧姆的放电电阻器的电压将到达峰值到1360伏。?不是一般的功率元件能够处理此电压，特别是功率MOSFET的用于驱动搜索线圈的击穿电压要选择在300和750??伏之间，根据功率元件的?这意味着，在第一阶段期间的线圈放电，在线圈上的电压将被限制到大约500伏特，通过并联电阻中流过的电流的一局部，和它的一局部，通过驱动功率MOSFET。?这是不太理想的，因为更高的放电电压意味着更快的磁场切换，但我们应该庆幸的，这MOSFET的动作其实是防止其他部件被损坏。 脉冲的时间停留在第1阶段的放电曲线的量依赖于流经线圈的电流的放电开始时，击穿电压的MOSFET和线圈，布线和并联电阻器的电阻的总和。?假设在循环中的主电阻体由并联电阻引起，我们可以用以下公式计算的长度的第一阶段： T?S1?= L?线圈?*〔I的线圈?- V?brk_down?/ R?潮湿?〕/ V?brk_down 显然，这个公式是唯一有效的，当我线圈? V?brk_down?/ R?潮湿的?，因为否那么的第一阶段从来没有进入理想的曲线直接进入第二阶段的。?具有400μH的线圈，680欧姆的阻尼电阻器，一个初始2安培和MOSFET的击穿电压为500伏的线圈电流在我们的例子中，该第一阶段的放电曲线将持续一微秒。 第2阶段：在阻尼电阻器线圈电压高电流衰减 一旦由电流在线圈中感应的电压已到达以下的值的MOSFET的击穿电压时，电流将指数衰减到零。?可以改变这种衰变的电流回路中的总电阻和线圈中的磁场的物理性质。?的磁力线在到达金属可以改变的衰减曲线的第二个阶段，但也存在一些问题检测到它们。?首先是非常高的电压。?当线圈电压下降到低于MOSFET的击穿电压时，第2阶段进入〔某处大约500伏〕，并结束的电压被降低到足以被拾起，常见的模拟电路〔通常是0.5或1伏左右〕。?这个阶段也是非常短的，这使得它难以执行可靠的测量，这给任有关以下内容的信息的存在，或在到达的磁场的金属 大多数脉冲感应金属探测器，因此就跳过第二个阶段，并等待开始检测和歧视周期的第三阶段。?基于DSP的检测器是不同的，因为它会自动侦测的准确时刻时的放电曲线，从第2阶段到第三阶段。 ?这些二极管充当拉一侧的电阻两侧之一的电源侧的电压限制器。??只要线圈电压大于0,7伏，这些二极管需要翻开，二极管上的电压实际上是固定的。?一旦线圈电压下降到低于此值，二极管靠近和测得的电压在线圈的实际剩余电压。 在我们的例子线圈，第2阶段将持续大约3.9μsec，直到线圈中的电流已经降到足够拉这个魔法值0.7伏以下的电压。?此较少的装置的放电曲线的第二阶段，和持久的涡流可以被检测的最后阶段开始结束。?如果金属是在磁场的范围