LTPS工艺流程与技术.pptVIP

* Gate 刻蚀(干刻) Driver area Pixel area Glass P-channel N-channel ECCP干刻 去胶 . * Gate 刻蚀(干刻) Taper 53 GI loss~350A Taper 46 GI loss~0A . * LDD掺杂 Gate掩膜 PHX+ LDD Doping LDD Doping P-channel N-channel LDD Glass Driver area Pixel area . * PR PR Glass B+ Doping P-channel N-channel P+ 掺杂(mask5) P+ doping 第5次光刻 灰化 去胶 Driver area Pixel area . * Partially melting regime Near-complete melting regime Mechanism of ELA Complete melting regime . * MICMILC (Metal Induced Lateral Crystallization) . * SPC（solid phase crystallization） . * SPC SPC ELA 晶粒：200-300nm . * Comparison of different backplane . * 离子注入技术 V族元素(P ,As, Sb) III族元素(B, Al, Ga) 提供电子,形成N型半导体 提供空穴,形成P型半导体 半导体掺杂: PH3/H2,B2H6/H2 . * 离子注入机离子束呈细线状或点状,难以得到大的电流束,采取扫描方式注入,产能低;通过质量分析装置控制注入剂量,均匀度2% 离子云注入机离子束线状, 电流束较长, 产能较高,成本低;通过法拉第杯控制注入剂量,均匀度5% . * LDD 方块电阻小于10K欧姆/□ 方块电阻40K---100K欧姆/□ . * LDD作用：抑制“热载流子效应” 以较低的注入量在源极/漏极端与沟道之间掺杂,形成一浓度缓冲区,等效串联了一个大电阻,水平方向电场减少并降低了电场加速引起的碰撞电离产生的热载流子几率 注入剂量过少则造成串联电阻过高,使迁移率下降;注入剂量过多则会失去降低漏极端边缘电场强度的功能. LDD . * . * Repair broken bonds damaged in ion doping Increase conductance of doping area . * 氢化处理的目的 多晶硅晶粒间存在粒界态，多晶硅与氧化层间存在界面态，影响晶体管电性。氢化处理以氢原子填补多晶硅原子的未結合鍵或未飽和鍵，粒界态，氧化层缺陷，以及界面态，来减少不稳态数目，提升电特性：迁移率，阈值电压均匀性等。 氢化处理方法 1.等离子体氢化法：利用含氢的等离子体直接对多晶体和氧化层做 处理 2.固态扩散法：SiNx薄膜作为氢化来源，特定温度烘烤使氢原子扩散进入多晶体和氧化层 氢化工艺 . * . * . * LTPS的主要设备 TEOS CVD 激光晶化设备 离子注入机 快速热退火设备 ICP-干刻设备 HF清洗机 PVD 光刻机 湿刻设备 干刻设备 CVD 共用产线 设备 LTPS 设备 . * OLED 蒸镀封装 离子注入机 AOI 快速热退火设备 激光晶化设备 磨边清洗机 . * * FFS( Fringe-Field Switching )IPS(In-Plane Switching) . * * LTPS-TN LTPS-OLED LTPS-IPS * Gate Active SD Passivation ITO Pixel Poly（多晶硅刻蚀） CHD（沟道掺杂） M1 （gate层） ND（n+掺杂） PD（ p+掺杂） M2 （SD层） PV （passivation） Via 1（过孔1） RE（反射电极） PDL（像素定义层） Spacer a-Si 工艺 Via 2 （平坦化层） Poly（多晶硅刻蚀） CHD（沟道掺杂） M1 （gate层） ND（n+掺杂） PD（ p+掺杂） M2 （SD层） PV 2（passivation） Via 1（过孔1） ITO1 Via 2 （平坦化层） ITO2 LTPS-IPS LTPS-OLED . * 玻璃基板 Glass 玻璃投入 清洗 LTPS process flow 预处理 . * RTA System Overview Model：YHR-100HT CST