集成电路制造工艺77551.pptVIP

集成电路设计与制造的主要流程框架 设计 芯片检测 外延生长 掩膜制作 芯片制造过程 封装 测试 系统需求 掩模制作 1、生成PG带 2、图形发生器制版（母版） 3、制造工作版 芯片制造过程 集成电路制造工艺 集成电路 氧化硅层的主要作用 在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，器件的组成部分。 扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层。 作为集成电路的隔离介质材料。 作为电容器的绝缘介质材料。 作为多层金属互连层之间的介质材料。 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料。 氧化工艺 热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化 化学气相淀积法 物理气相淀积法 氧气氧化设备 氧气氧化设备 化学汽相淀积(CVD) 化学汽相淀积(Chemical Vapor Deposition)：通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等。 物理气相淀积(PVD) 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。 溅