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2022年工业软件行业之EDA发展趋势分析 随着晶圆制造工艺接近物理极限，摩尔定律正逐渐放缓。在过去，主流芯片集成度与成本变化曲 线基本遵循了摩尔定律的指引，即每两年集成度提高一倍，同样集成度产品价格下降一半。但随 着晶圆制造工艺接近物理极限，单靠微缩晶体管工艺尺寸，已经难以满足芯片集成度和系统规模 两年翻一倍的目标，同时由于先进工艺芯片产线投资及开发成本上升剧烈，晶体管工艺尺寸微缩 带来的电子产品成本下降的红利也开始削弱。在如今 5G、云计算、智能汽车、物联网等技术快速 发展的背景下，对芯片算力、效率的要求快速提升，而摩尔定律放缓无疑将影响到电子信息产业 发展速度 在摩尔定律的基础上，SysMoore 注重从更多维度提升电子系统性能和功能复杂度。在 ICCAD 2021 上，Synopsys 总裁兼首席运营官 Sassine Ghazi 介绍了公司对 SysMoore 概念的理解。过 去为了延续摩尔定律，产业界提出了诸如超越摩尔定律（More than Moore）或芯粒（Chiplet） 等概念和方法，这些方法和概念是不够的。尽管单靠工艺和架构等少数几个维度去满足电子产品 升级换代对 PPA 的要求是困难的，SysMoore 更多地关注系统层面的各个环节，虽然硅晶圆、晶 体管、芯片、系统硬件和软件每一个环节本身在限定开发时间内的 PPA 提升幅度有限，但不同环 节衔接处的 PPA 提升空间巨大，将不同环节的技术红利与环节衔接处的技术红利组合起来，可以 打破当前摩尔定律遇到的瓶颈，使电子系统性能和功能复杂度增长曲线重回指数型增长轨迹。 SysMoore 不是对传统摩尔定律的颠覆，而是在其基础上引入更多方法使其持续演进。基于集成 度去考核晶体管规模体量的摩尔定律是 SysMoore 的基础，仍是电子系统开发工作的重点和起点。 但在 SysMoore 时代，系统能耗指标变得更重要，开发者需要在系统层面关注更多环节，以利用 传统的方法之外的更多方式来提高能效比，其中包括芯粒、2.5D/3D 及异构封装、DTCO、AI、 云计算等多项技术和方法的运用。 图：SysMoore 通过多项技术的运用助力摩尔定律重回指数型增长曲线 芯粒的运用：传统系统单芯片的做法是每一个组件放在单一裸晶（Die）上，造成功能越多， 硅芯片尺寸越大。芯粒（Chiplet）的特点是将大尺寸的多核心设计分散到个别微小裸芯片， 如处理器、模拟组件、储存器等，再用 3D 立体堆栈的方式，以封装技术做成一颗芯片，类 似乐高积木。更小的裸片不仅可以带来更高的硅利用率和更高的产量，同时可以实现集成异 构化（即将多个基于不同工艺节点、单独制造的小芯片封装到一颗芯片中）、集成异质化 （即将基于 Si、GaN、SiC 等材料的小芯片通过异质集成技术封装到一起），以实现最佳性 能和最大灵活性。同时对于半导体 IP 厂商来说，升级为 Chiplet 供应商，可提升 IP 的价值且 有效降低芯片客户的设计成本，如芯原股份、芯动科技等国内厂商均有相关布局。 2.5D/3D 及异构封装技术：随着后摩尔时代的到来，半导体产品开始出现 2.5D/3D IC，通过 先进封装（Interposer、TSV）的方案实现 Die-to-Die 的互连。2.5D 和 3D 封装之间的基本区 别在于，2.5D 封装在 Interposer 上并排互连芯片，而 3D 互连层将芯片进行堆叠，即互连结 构在彼此的顶部。先进封装的设计方案可以进一步缩小器件互连的距离，不仅电性能能够得 到提高，同时还可实现多样化集成，包括通过异质集成的方法实现多种形式的微系统。但设 计复杂度的提高也对设计方法，包括仿真方法也提出了很大的挑战，包括电磁、热、结构以 及多物理场耦合分析。各大厂商开始积极布局相关技术： （1）台积电是全球领先的晶圆代工厂，也是目前晶圆级先进封装技术的代表和推动者。 TSMC 将先进的封装技术加以整合，于 2020 年推出了 3DFabric 平台，此平台提供的芯片互 连解决方案可以满足用户在整合数字芯片、高带宽存储芯片及特殊工艺芯片方面的需求。 （2）EDA 工具方面，为解决 3D 封装带来的痛点，Cadence 于 2021 年发布了 Integrity 3DIC 平台，该平台集成 3D 设计规划与物理实现、早期 3D 电热、功耗和静态时序分析功能， 简化了多种 EDA 工具的使用，可以实现从系统层面优化 PPA。 （3）国内厂商方面，2021 年芯和半导体联合 Synopsys 发布了 2.5D/3D IC 先进封装设计分 析全流程 EDA 平台；华大九天也具备提供 3D IC 解决方案的能力。 DTCO：DTCO 指的是设计-工艺协同优化。由于先进工艺节点的开发需要较长时间且难度较 高，晶圆厂为