Flash 存储器（电子信息）.pptxVIP

; Flash 存储器;1.2 存储器初始化 ;2. 存储器地址分布 一种典型的情况是启动ROM的地址重映射（remap）。 当一个系统上电后程序将自动从0地址处开始执行，因此在系统的初始状态，必须保证在0地址处存在正确的代码，即要求0地址开始处的存储器是非易失性的ROM或Flash等。但是因为ROM或Flash的访问速度相对较慢，每次中断发生后都要从读取ROM或Flash上面的向量表开始，影响了中断响应速度。因此有的系统便提供一种灵活的地址重映射方法，可以把0地址重新映射到RAM中去。在这种地址映射的变化过程当中，程序员需要仔细考虑的是程序的执行流程而不能被这种变化所打断。 ;系统上电后从Flash内的0地址开始执行，启动代码位于地址0x100开始的空间，当执行到地址0x200时，完成了一次地址的重映射，把原来0开始的地址空间由Flash转给了RAM。接下去执行的指令（这里为简化起见，忽略流水线指令预取的模型）将来自从0x204开始的RAM空间。如果预先没有对RAM内容进行正确地设置，则里面的数据都是随机的，这样处理器在执行完0x200地址处的指令后，再往下取指执行就会出错。解决的方法就是要使RAM在使用之前准备好正确的内容，包括开头的向量表部分。 ;启动ROM地址重映射对程序执行流程的影响 ;1.3 Flash 的调试和程序固化 ;程序在Flash中调试与在RAM中调试工程配置不同： 1）调试选项中不需要执行脚本文件，该工作在启动 文件中完成，需要将连接后行为选项改为无。 2）调试过程也有所不同，连接仿真器后，无需再执 行下载程序操作，如果要从启动程序的入口开始 调试程序，必须先执行复位命令，此时程序将停 在零地址处。 ;2. 程序固化 在RAM中调试通过的程序与最终固化到Flash中的程序有所区别，用户需要在汇编器的预定义选项中设置编译定义符号，或者直接在初始化文件中增加定义编译项，由启动文件自己完成存储区的重映射而不是由命令脚本完成。 在链接器的链接文件中选择flash.ld，该链接文件和启动文件配合完成最初下载到Flash中的数据段的工作。 完成改动后，重新编译程序。然后使用Elf to Bin工具将.elf文件转换成二进制指令格式文件.bin。再利用Flash Programmer工具将.bin下载到Flash中。 ;1.4 Flash 器件SST39VF160的应用 ;SST39VF160的引脚分布图 ;SST39VFl60引脚功能描述 ;（1）读操作 SST39VFl60的读操作是由CE和OE信号线控制的。当两者都为低时，处理器就可以从SST39VFl60的输出口读取数据。 CE是SST39VFl60的片选线，当CE为高，芯片未被选中。OE是输出使能信号线。当CE或OE中某一个为高时，SST39VFl60的数据线为高阻态。;SST39VFl60读操作时序图 ;读时序参数 ;（2）字写入操作 SST39VFl60的写操作主要是以一个字接一个字的方式进行写入的。在写入之前，扇区中如果有数据，则必须首先进行充分地擦除。写操作分3步进行：第1步，送出“软件数据保护”的3字节；第2步，送出地址和数据；第3步，内部写入处理阶段，这个阶段在第4个WE或CE的上升沿时被初始化。被初始化后，内部写入处理将在20μs时间内完成。在内部写入阶段，任何指令都将被忽略。 ;SST39VF160的字写入流程图 ;通过 控制的字写入时序图 ;通过 控制的字写入时序图 ;（3）整片擦除操作 扇区或块擦除操作允许SST39VFl60以一个扇区接一个扇区，或一个块接一个块地进行擦除。扇区或块的地址在WE的第6个下降沿处锁存，指令字节（30h或50h）在的第6个上升沿处锁存，之后，开始内部擦除操作。可以采用Data Polling bit或Toggle bit的方法来判定内部擦除是否结束。 SST39VFl60还提供一个整片擦除的功能，允许使用者一次性快速擦除整个存储器（存储阵列每个单位都为1）。整片擦除同样通过执行6字节的指令序列来进行，6字节指令序列中包括片擦除指令（10h）和字节序列最后的地址5555h。 ;SST39VF160的擦除操作 ;2. 应用 （1）ST39VF160的擦除 SST39VF160具有3种擦除方式：整片擦除、 扇区擦除和块擦除。 扇区擦除子程序的主体： void SST39VF160_SectorErase(INT32U SAaddr) {Writeflash(0x5555,0xAA); Writeflash(0x2AAA,0x55); Writeflash(0x5555,0x80); W