3-场效应管资料.pptx

双极型晶体管BJT：输入电阻rbe小，电流控制器件 ;第四章 场效应管及MOS模拟集成电路基础;场效应管（FET）：;;二、 JFET的工作原理;G;耗尽层合拢的电压条件;G;② uDS对iD的影响;② uDS对iD的影响;② uDS对iD的影响;G;综上分析可知：;G;G;;2. 转移特性 ;;G;（5）低频跨导gm：;（7）最大栅源电压BUGS：;1、转移特性曲线：;2、漏极特性曲线：;3、漏极特性、转移特性曲线间的联系;恒流区;例4．1 设N沟道JFET的UGS（off）= -4V，试分析图中的JFET各工作在哪个区? ;作业： P165 4.1(UGS(off)= -4V);场效应管的分类：;1·4·2 绝缘栅型场效应管（MOSFET）;（二）工作原理;;;(2) iD和导电沟道随uGS和uDS的变化 ;3．输出特性曲线 ;;2. 转移特性 ;转移特性曲线 ;例4．2 一N沟道增强型MOSFET的UGS（th）=2V，当uDS=0．5V，uGS=3V时，iD=lmA，试问该MOSFET工作在什么区 ? 此时，漏源间的电阻RDS = ? ;作业： P166 4.3;二、N沟道耗尽型MOS管;3．输出特性曲线 ;2. 转移特性 ;P沟道MOSFET，除了外加电压极性和漏极电流方向与N沟道MOSFET相反外工作原理完全相同 ;G;复习2;内容总结