mos晶体管基础学习.pptxVIP

1 MOS晶体管 本节课主要内容 器件结构 电流电压特性 电流方程 沟道长、短沟道效应、衬底偏压效应 第1页/共30页 2 MOSFET MOS晶体管 第2页/共30页 3 MOS晶体管的动作 MOS晶体管实质上是一种使 电流时而流过，时而切断的开关 n+ n+ p型硅基板 栅极（金属） 绝缘层（SiO2） 半 导 体 基 板 漏极 源极 N沟MOS晶体管的基本结构 第3页/共30页 4 VG VS=0 VD=0 栅极电压为时，表面的 电位下降，形成了连接源漏 的通路。 第4页/共30页 5 VG VS=0 VD 更进一步，在漏极加上的 电压，漏极的电位下降，从源 极有电子流向漏极，形成电流。 （电流是由漏极流向源极） 第5页/共30页 6 VG=0V VS=0V VD 漏极保持的电压，而将栅极电压恢复到0V，这时表面的电位提高，源漏间的通路被切断。 第6页/共30页 7 ID (0VDVG-VTH) (0 VG-VTH VD) VD ID 非饱和区 饱和区 VDsat=VG-VTH 第7页/共30页 8 mn ：为Si中电子的迁移率 Cox : 为栅极单位电容量 W : 为沟道宽 L : 为沟道长 第8页/共30页 9 影响MOS晶体管特性的几个重要参数 MOS晶体管的宽长比（W/L) F A 0 S OX F FB 2 qN K 2 C 1 2 V VTH f e + f + = +VBS ( ) 第9页/共30页 10 PMOS的IDS-VDS特性（沟道长1mm) MOS晶体管 第10页/共30页 11 MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 与（VGS-VTH) 的平方成正比 MOS晶体管 第11页/共30页 12 nMOS晶体管的I-V特性 第12页/共30页 13 阈值电压的定义 饱和区外插VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-IDS的关系曲线，找出该曲线的最大斜率，此斜率与X轴的交点定义为阈值电压。 以漏电流为依据定义VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-Log(IDS)的关系曲线，从该曲线中找出电流为1微安时所对应的VGS定义为阈值电压。 MOS晶体管 第13页/共30页 14 MOS管短沟道效应 IDS W/L, L要尽可能小 短沟道效应由器件的沟道 长决定 沟道变短时，漏极能带的 影响变大，电流更易流过 沟道，使得阈值电压降低 MOS晶体管 第14页/共30页 15 衬底偏压效应 通常衬底偏压VBS=0, 即NMOS的衬底接地， PMOS衬底接电源。 衬底偏压VSB0时，阈值电压增大。 如果源极是浮 动的，由于衬 底效应，阈值 电压就会增大。 MOS晶体管 第15页/共30页 16 与栅源电压 的平方成正比 微小MOS晶体管的静态特性(沟道长小于1mm) 微小MOS晶体管 长沟道MOS晶体管 平方成正比 短沟道MOS晶体管 第16页/共30页 17 载流子的饱和速度引起的 Early Satutation 微小MOS晶体管 散乱引起速度饱和 沟道长小于1微米时，NMOS饱和 NMOS和PMOS的饱和速度基本相同 PMOS不显著 饱和早期开始 第17页/共30页 18 短沟道MOS晶体管电流解析式 微小MOS晶体管 第18页/共30页 19 微小MOS晶体管的静态特性(沟道长小于1mm) 微小MOS晶体管 NMOS 当VDSAT=1V,速度饱和 PMOS 电流是NMOS的一半 没有速度饱和 第19页/共30页 20 MOSFET的寄生效应 MOS寄生元素 第20页/共30页 21 第21页/共30页 22 MOSFET栅极电容 MOS寄生元素 典型参数：COX=6fF/mm2, COmm2mm工艺；NMOS,PMOS共通） 第22页/共30页 23 有关栅极电容的知识 MOS寄生元素 阈值电压附近，栅极电容变动较大 栅极电容从衬底向源漏极转变 电容值减小到一半。 因此，电路中如果要利用栅极电容，设计时需应使 电路避开在阈值电压附近的工作。 晶体管饱和时 栅极电容的对象主要为源极 电容值减小到2/3程度 由上可知，在饱和区，栅漏电容主要由CGDO决定，其值大约为栅极电容的20%左右。 第23页/共30页 24 MOS晶体管的扩散电容 MOS寄生元素 第24页/共30页 25 N沟道MOSFET 源极：载流子（电子）的供给源 漏极：载流子（电子）的排出口 VDDmmV mmV 导通 截至 阈值电压: VTH≒0.2VDD(e.g.0.4V) 0V 第25页/共30页 26 P沟道MOSFET 第26页/