半导体ESD模型和测试标准ppt课件.pptxVIP

ESD模型及有关测试;1、ESD模型分类;人体放电模式 (Human-Body Model, HBM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM);IEC电子枪空气放电模式;TLP模型;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;HBM, MM与CDM模型参数比较;2KV HBM, 200V MM, 与1KV CDM的放电电流比较，其中1KV CDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。;HBM, MM与CDM比较;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;2、HBM和MM测试方法标准; 仪器和脉冲波形检测和校准 ——初次使用时检测 ——例行检测 ——维修后检测 ——测试版或引脚插槽更换或移动后检测 记录波形(用于对比和校验) ——新机器 ——老机器;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;对于尾波校准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;HBM和MM测试方法;所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地） 所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地） 所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地） NC管脚 ——依美军标MIL-883不测试 ——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而且在同一ESD电压下，IC的该测试脚必须要被Zap三次，每次Zap之间的时间间隔约一秒钟，Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏，???IC尚未被损坏则调升ESD的电压，再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大，如此重复下去，直到该IC脚己被ESD所损坏，此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为『静电放电故障临界电压 (ESD failure threshold)』。 ; 如果每次调升的ESD测试电压调幅太小，则测试到IC脚损坏要经过多次的ESD放电，增长测试时间; 若每次调升的ESD测试电压太大，则难以较精确测出该IC脚的ESD耐压能力。 规定： 正负极性均要测试 从低压测到高压，起始电压为70%的平均ESD failure threshold (VESD) 步进当小于1000V时步进50V(100V)，大于1000V时步进100V(250V, 500V) 可以是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量; 最短间隔时间和测试次数; 每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC的ESD failure threshold定义为所有IC脚中ESD failure threshold最小的那个电压值，因此，该颗IC的ESD failure threshold仅达500V。 IC制程特性有时会有小幅的(10%) 漂移，所以在相同批次IC中随机取样至少大于5颗。 ;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类#;精品文档整理@欢迎下载！优秀分类