基于GaN的图腾柱无桥PFC控制策略.docx

引言 在“碳达峰”、“碳中和”等国家层面的承诺中不难看出,未来的电源研发领域在高频高效领域有广阔的空间。图腾柱PFC拓扑以其组件数量少、共模干扰低、最低传导损耗、最高效率等优点在功率因数校正圈内备受关注。氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等第三代宽禁带半导体器件的出现,将制约图腾柱拓扑的第一大阻力二极管反向恢复问题迎刃而解,使图腾柱PFC在大功率场合的应用成为可能。功率等级的增加必然会带来传导损耗增大,因此,传统图腾柱无桥PFC拓扑中的二极管注定会被取代,业界最常见的解决方案是用导通电阻较小的MOSFET替代,但依旧无法解决开关损耗高带来的温升和过零点畸变等问题,系统高频化难以实现。针对这些问