光电检测直接外差探测.pptVIP

?价电子的运动状态发生变化,使它跃迁到新的能级上的条件是：能给电子提供足够能量的外界作用、电子跃入的能级是空的。 价带 导带 禁带 1、关于能带理论，正确的是（） A、价带是允许带 B、导带是满带 C、禁带是允许带 D、导带是允许带 2、关于半导体，错误的是（） A、电阻温度系数一般是正的 B、导电性能不受微量杂质的影响 C、对温度的变化非常敏感 D、导电性受热、光、电、磁等外界作用的影响 小测试 3、关于物体导电能力，正确的是（） A、物体导带上的电子越多，其导电能力越强。 B、物体导带上的电子越少，其导电能力越强。 C、物体价带上的电子越多，其导电能力越强。 D、物体价带上的电子越少，其导电能力越强。 ??? 单晶——在一块材料中，原子全部作有规则的周期排列。 ??? 多晶——只在很小范围内原子作有规则的排列，形成小晶粒，而晶粒之间有无规则排列的晶粒界隔开。 ??? 现代固体电子与光电子器件大多由半导体材料制备，半导体材料大多为晶体（晶体中原子有序排列，非晶体中原子无序排列）。晶体分为单晶与多晶： ⑴本征半导体 ? 完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。 ★在没有外界作用和绝对零度时，本征半导体的导带中没有电子，价带中没有空穴，它是不导电的。 ★由于半导体的禁带宽度较小，所以在外界作用下，价电子可以激发跃迁到导带中，这样本征半导体的导带中有电子，价带中有空穴，本征半导体就有了导电能力。 ?晶体总是含有缺陷和杂质的，而杂质原子上的能级和晶体其它原子不同，所以它的位置完全可能不在晶体能带的范围之内。 ⑵杂质半导体 N型半导体 P型半导体 N型半导体 在晶格中掺入某个硅原子被磷原子所替代，五价原子用四个价电子与周围的四价原子形成共价键，而多余一个电子，此多余电子受原子束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，容易被五价原子释放，游离跃迁到导带上形成自由电子。易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态称为施主能级ED。 ED位于禁带中，较靠近材料的导带底EC 。 ED与EC间的能量差称为施主电离能。N型半导体由施主控制材料导电性。 P型半导体 晶体中某个硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围的硅原子中四个价电子要组成共价键，形成八个电子的稳定结构，尚缺一个电子。于是很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构，使硼原子外层多了一个电子变成负离子，而在硅晶体中出现空穴。容易获取电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级EA ，也位于禁带中。在价带顶EV附近， EA与EV间能量差称为受主电离能。P型半导体由受主控制材料导电性。 N型半导体与P型半导体的比较 掺杂对半导体导电性能的影响： ??? 半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。 (a)本征半导体(b)N型半导体(c)P型半导体 三、热平衡载流子 在一定温度下，若没有其他的外界作用，半导体中的自由电子和空穴是由热激发产生的。电子从不断热振动的晶体中获得一定的能量，从价带跃迁到导带，形成自由电子，同时在价带中出现自由空穴。在热激发同时，电子也从高能量的量子态跃迁到低能量的量子状态，向晶格放出能量，这就是载流子的复合。在一定温度下，激发和复合两种过程形成平衡，称为热平衡状态，此时的载流子成为热平衡载流子，它的浓度即为某一稳定值。 ★根据量子理论和泡利不相容原理，能态分布服从费米统计分布规律。 ★在某温度下热平衡态，能量为E的能态被电子占据的概率由费米-狄拉克函数给出，即 ??? 热平衡时半导体中自由载流子浓度与两个参数有关：一是在能带中能态（或能级）的分布，二是这些能态中每一个能态可能被电子占据的概率。 f(E)：费米分布函数，能量E的概率函数 k：波耳兹曼常数，1.38×10-23J/K T：绝对温度 EF：费米能级(绝对零度时的电子的最高能级) 费米-狄拉克函数曲线 当E=EF时，f(E)=1/2 当EEF时，f(E)1/2 当EEF时，f(E)1/2 ★若(E－EF) kT时 随着E的增加， f(E)迅速减小，所以导带中的大部分电子的能量是在导带底EC附近。同样价带中空穴的绝大部分都在价带顶EV附近。 EF为表征电子占据某能级E的概率的“标尺”，它定性表示导带中电子或价带中空穴的多少。常温下EF随材料掺杂程度而变化。对于本征半导体 EF