杂质半导体的扩散.ppt

. 杂质半导体 目录 杂质半导体的简介 杂质半导体与扩散技术 杂质半导体与PN结 在本征半导体中掺入某些三价或者五价的微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体则称为杂质半导体。 杂质半导体的定义： 发光材料 本征半导体 杂质半导体 从不用，性能不稳定 杂质半导体的定义： 杂质在带隙中产生杂质能级，当杂质原子取代半导体晶体中的原子时： Si 掺杂磷 掺杂硼 多一个价电子，为施主杂质 多一个空穴，为受主杂质 当杂质原子周围的势场与晶体本身的势场有很大差异，则借助于短程势场的作用往往形成俘获电子或空穴的能级--等电子陷阱。等电子陷阱形成束缚激子（电子空穴对），其中电子和空穴可直接跃迁复合，产生高效率发光。 根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 N型半导体 P型半导体 施出价电子--施主 接受电子--受主 半导体发光材料的条件： 1 带隙宽度合适（释放光子能量小于带隙宽度） 2 可获得电导率高的PN型晶体 3 可获得完整性好的优质晶体 4 发光复合几率大 掺杂技术 GaN的掺杂： n型掺杂： 掺杂元素主要是硅和锗，激活能较低，成品易获得较低导电率 p型掺杂：掺杂元素主要是镁，镁为深受主，因被氢顿化为Mg-H络合物，因此呈现高阻，可通过低能电子辐照及在氮气中退火得到低阻氮化镓。但目前P