CMOS工艺流程与MOS电路版图举例.pptVIP

Contacts: Photomask (dark field) Clear Glass Chromium Cross Section * 第九十五页，共一百五十五页。 Metal Interconnects: Photomask (light field) Chromium Clear Glass Cross Section * 第九十六页，共一百五十五页。 硅栅硅栅MOS器件工艺的流程Process (1)刻有源区 正胶 * 第九十七页，共一百五十五页。 Process (2)刻多晶硅与自对准掺杂 Self-Align Doping * 第九十八页，共一百五十五页。 Process (3)刻接触孔、反刻铝 field oxide (FOX) metal-poly insulator thin oxide * 第九十九页，共一百五十五页。 3) 铝栅工艺CMOS反相器版图举例 图2为铝栅CMOS反相器版图示意图。可见，为了防止寄生沟道以及p管、n管的相互影响，采用了保护环或隔离环：对n沟器件用p+环包围起来， p沟器件用n+环隔离开，p+、n+环都以反偏形式接到地和电源上，消除两种沟道间漏电的可能。 * 第一百页，共一百五十五页。 图2 铝栅CMOS反相器版图示意图 版图分解： 刻P阱 2. 刻P