电子科大微电子工艺(第七章)金属化.pptVIP

CMOS结构的硅化物 第三十页，共五十七页。 自对准金属硅化物的形成 第三十一页，共五十七页。 金属填充塞 第三十二页，共五十七页。 0.18μm STI 硅化钴 6层金属IC的逻辑器件 第三十三页，共五十七页。 7.3 金属淀积系统 金属淀积系统： 1. 蒸发 2. 溅射 3. 金属CVD 4. 铜电镀 半导体传统金属化工艺—物理气相淀积（PVD） SSI、MSI→蒸发 LSI以上→溅射 第三十四页，共五十七页。 蒸发是在高真空中，把固体成膜材料加热并使之变成气态原子淀积到硅片上的物理过程。 蒸发的工艺目的 在硅片上淀积金属膜以形成金属化电极结构。 成膜材料的加热方式：蒸发器分为电阻加热、电子束加热、高频感应加热等三种。在蒸发工艺中，本底真空通常低于 10－6Torr。 金属淀积系统——蒸发 第三十五页，共五十七页。 简单的蒸发系统 机械泵 Roughing pump Hi-Vac valve高真空阀 高真空泵 Hi-Vac pump Process chamber工艺腔（钟罩) Crucible 坩锅 Evaporating metal蒸发金属 Wafer carrier 载片台 第三十六页，共五十七页。 电子束蒸发是电子束加热方式的蒸发，是在高真空中，电子枪发出电子经系统加速聚焦形成电子束、再经磁场偏转打到坩锅的成膜材料上加热，并使之变成气态原子淀积到硅片上的物理过程。 在蒸发技术中，电子束蒸发占主流。 第三十七页，共五十七页。 电子束蒸发系统的组成： 1. 高压电源系统 2. 真空系统 3. 电子加速聚焦偏转系统 4. 工艺腔 5. 水冷坩锅系统（通常为带旋转的四坩锅） 6. 载片架 第三十八页，共五十七页。 电子束蒸发系统 电子束蒸发系统 第三十九页，共五十七页。 电子束蒸发过程 电子束蒸发的3个基本步骤： 1. 在高真空腔中，电子枪发射的电子经加速获得足够的动能并聚焦形成电子束。 2. 电子束经磁场偏转，向成膜材料轰击加热并使之蒸发 3. 成膜材料蒸发出的原子或分子在高真空环境下的平均自由程增加，并以直线运动形式撞到硅片表面凝结形成薄膜。 第四十页，共五十七页。 第七章 金属化 第一页，共五十七页。 7.1 引 言 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质膜上淀积金属 膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属化是化学气相淀积、溅射、光刻、刻蚀、化学机械平坦化等单项工艺的工艺集成。 第二页，共五十七页。 金属化连接 接触孔 第三页，共五十七页。 芯片金属化技术术语 1. 互连指导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线用以传输电信号 2. 接触是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接 3. 通孔是穿过各层介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口 4. 填充薄膜是指金属薄膜填充通孔以便在两层金属层之间形成电连接。 第四页，共五十七页。 现代集成电路对金属膜的要求 1. 电阻率低：能传导高电流密度 2. 粘附性好：能够粘附下层衬底实现很好的电连接，半导体与金属连接时接触电阻低 3. 易于淀积：容易成膜 4. 易于图形化：对下层衬底有很高的选择比，易于平坦化 5. 可靠性高：延展性好、抗电迁徙能力强 6. 抗腐蚀性能好 7. 应力低：机械应力低减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。 第五页，共五十七页。 集成电路金属化技术常用的金属种类 铝 铝铜合金 铜 阻挡层金属 硅化物 金属填充塞 第六页，共五十七页。 集成电路金属化技术常用金属的熔点和电阻率 第七页，共五十七页。 金属化工艺 物理气相淀积（PVD） 化学气相淀积（CVD） 金属淀积系统 1. 蒸发 2. 溅射 3. 金属CVD 4. 铜电镀 第八页，共五十七页。 铝 铝的优点 1. 电阻率低（2.65μΩ?cm） 2. 与硅和二氧化硅的粘附性好 3. 与高掺杂的硅和多晶硅有很好的欧姆接触（合金化温度450～500℃） 4. 易于淀积成膜 5. 易于光刻和刻蚀形成微引线图形 7.2 金属化技术 第九页，共五十七页。 6. 抗腐蚀性能好，因为铝表面总是有一层抗腐蚀性 好的氧化层（Al2O3） 7. 铝的成本低 铝的缺点 1. 纯铝与硅的合金化接触易产生PN结的穿通现象 2. 会出现电迁徙现象 第十页，共五十七页。 结穿通现象在纯铝和硅的界面加热合金化过程中（通常450～500℃） ，硅将开始溶解在铝中直到它在铝中的浓度达到0.5％为止，硅在铝中的溶解消耗硅且由于硅界面的情况不同，就在硅中形成空洞造成PN穿通现象的发生。结穿通引起PN结短路。 第十一页，共五十七页。 解