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半导体二极管和三极管;§1 半导体基础知识;一、本征半导体;2、本征半导体的结构;两种载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN 结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;四、PN 结的电容效应;问题;§2 半导体二极管; 一、二极管的组成; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程;利用Multisim测试二极管伏安特性;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电???;三、二极管的等效电路;2. 微变等效电路;四、二极管的主要参数;讨论：解决两个问题;五、稳压二极管;§1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;讨论一;讨论二：利用Multisim测试晶体管的输出特性;讨论三;基本放大电路;§2.1 放大的概念与放大电路的性能指标;一、放大的概念;二、性能指标;2. 输入电阻和输出电阻;3. 通频带;§2.2 基本共射放大电路的工作原理;一、电路的组成及各元件的作用;二、设置静态工作点的必要性;三、基本共射放大电路的波形分析;四、放大电路的组成原则;两种实用放大电路：（1）直接耦合放大电路;两种实用放大电路：（2）阻容耦合放大电路;§2.3 放大电路的分析方法;一、放大电路的直流通路和交流通路;;当VCCUBEQ时，;二、图解法 应实测特性曲线 ;2. 电压放大倍数的分析;3. 失真分析;;讨论一;三、等效电路法;2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）;;h参数的物理意义;简化的h参数等效电路－交流等效模型;3. 放大电路的动态分析;阻容耦合共射放大电路的动态分析;讨论一;2. 空载和带载两种情况下Uom分别为多少？ 在图示电路中，有无可能在空载时输出电压失真，而带上负载后这种失真消除？ 增强电压放大能力的方法？;讨论三：基本共射放大电路的静态分析和动态分析;讨论四：阻容耦合共射放大电路的静态分析和动态分析;讨论五：波形分析;§2.4 静态工作点的稳定;一、温度对静态工作点的影响;二、静态工作点稳定的典型电路 ;2. 稳定原理;Re 的作用;3. Q 点分析;4. 动态分析;三、稳定静态工作点的方法;讨论一;§2.5 晶体管放大电路的三种接法;一、基本共集放大电路;2. 动态分析：电压放大倍数;2. 动态分析：输入电阻的分析;2. 动态分析：输出电阻的分析;二、基本共基放大电路;2. 动态分析;三、三种接法的比较：空载情况下;讨论一：  图示电路为哪种基本接法的放大电路？它们的静态工作点有可能稳定吗？求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的表达式。;电路如图，所有电容对交流信号均可视为短路。;讨论二;§2.6 场效应管及其基本放大电路;一、场效应管（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;;2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型 MOS管;MOS管的特性;利用Multisim测试场效应管的输出特性;3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;二、场效应管静态工作点的设置方法;2. 自给偏压电路;3. 分压式偏置电路;三、场效应管放大电路的动态分析;2. 基本共源放大电路的动态分析;3. 基本共漏放大电路的动态分析;基本共漏放大电路输出电阻的分析;§2.7 派生电路;一、复合管;讨论一：判断下列各图是否能组成复合管;讨论二;二、派生电路举例：组合的结果带来什么好处？; 多级放大电路;§3.1 多级放大电路的耦合方式;一、直接耦合;如何设置合适的静态工作点？;NPN型管和PNP型管混合使用;二、阻容耦合; 可能是实际的负载，也可能是下级放大电路;讨论：两级直接耦合放大电路; 从Multisim “参数扫描” 结果分析两级放大电路Q点的相互影响。 R1取何值时T2工作在饱和区？;§3.2 多级放大电路的动态分析;一、动态参数分析;二、分析举例;讨论一 失真分析：由NPN型管组成的两级共射放大电路;讨论二：放大电路的选用;§3.3 差分放大电路;一、零点漂移现象及其产生的原因;零点漂移;典型电路;三、长尾式差分放大电路的分析 ;2. 抑制共模信号 ;2. 抑制共模信号 ：Re的共模负反馈