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电源的分类
(1)AC-DC(交流—直流),又称离线式开关电源;
(2)DC-DC(直流—直流),又称模块电源;
(3)DC-AC(直流—交流),又称逆变电源;
(4)AC-AC (交流--交流)。
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EMI滤波
PFC
功率变换
AC
DC
离线式开关电源结构框图
第2页/共11页
开关电源电路实例
第3页/共11页
二 功率场效应管(MOSFET)
1.MOSFET的结构及工作原理;
UGS≤UT (UT为阈值电压,2v~ 4 V)
MOS管处于截止
UGS >UT 且 UDS >0
产生漏极电流 ID,MOS 管处于导通
结论:MOS 管的漏极电流 ID 受控于栅—源电压 UGS 和漏—源电压UDS,MOS 管属于电压控制器件,通过门极电压来控制漏极电流的,也就是通过门极电压来控制漏源导通情况。
第4页/共11页
2 MOS 管工作区域:
1. 截止区:UGS UT,ID =0。
2. 不完全导通区:UGS 稍大
于UT, UDS UGS - UT,当UGS
不变时,ID 几乎不随UDS 的
增加而变化,近似为常数。
3. 完全导通:UGS UT,一
般大于8V,UDS 很小(RDS(on)
很小,一般为毫欧级) ,ID
比较大。
4. 雪崩击穿区:UGS 继续增大
到一定程度,超过了器件的最
大承受能力,就 进入雪崩击穿
区。在应用中要避免出现这种
情况,否则造成器件的损坏。
MOS管的转移特性图
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3 MOSFET的开关特性
MOS管的开关过程如图,Up 为驱动电源信号。 开通时间ton=td+tr,关断时间 toff=ts+tf。MOS 管在静态时几乎不需要输入电流,但在开关过程中需 要对输入电容充放电,仍需一定的驱动功率,而且开关频率越高, 驱动损耗越 大。
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5 MOS管的主要参数
(1) 漏极-源极导通电阻 Rds(on)。典型门极-源极电压取10-15v。
(2) 跨导 :g=dId/dVgs 。
(3) 寄生电容 :分别为Cgs、Cds、Cgd。
输入电容充电、放电影响开关性能。Ciss=Cgs+Cgd Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
(4) 最大漏极直流电流 Id:MOSFET完全导通时,通过漏源极间的最大直流电流。
(5) 漏源电压UDS :MOSFET截止时,漏极和源极能承受的最大电压。
(6)门极源极电压UGS:加在门源极之间的电压不能超过它的最大值UGS。 实际应用典型值UGS 为12V左右。
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6 MOS管的门极驱动电路
1) 直接驱动
2) 互补三极管驱动(图腾柱)
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MOS管的门极驱动电路
3) 耦合驱动
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MOS管的保护电路
第10页/共11页
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