湖南大学《土木工程材料》课件-第8章单晶与半导体工艺.pptVIP

材料科学与工程学院 材料科学与工程学院 材料工程基础—单晶与半导体工艺 * * 第8章 单晶与半导体工艺 湖南大学《土木工程材料》 集成电路的制造工序 半导体工艺的特点： 高技术密集性 超级洁净要求 高精密的自动化操作 内容：单晶的生长工艺 制备电路芯片的主要工艺步骤（氧化、光刻、浸蚀、扩散、离子注入、互连、封装以及装配等） 多晶、单晶、微晶、非晶 单晶材料的用途 水晶 钻石 随着电子技术、激光技术和一些新型陶瓷材料的迅速发展，在很多场合下需要单晶材料（材料整体只有一个晶粒）。 单晶体以其在电、磁、光、声、热等方面的优异性能被广泛地应用于现代高科技产业，如熟悉的单晶硅材料在半导体工业上的应用 CaF2光学器件 CaF2单晶 单晶体的生产方法 单晶体的生产方法有许多种，它们的理论基础是相图及相变、形核和晶体生长理论。 从单晶体原子的来源不同分类，可分为熔体法、溶液法、气相法和固相法。 熔体法生长单晶 液相法生产单晶材料的共性是：液相是均匀的单相熔体，熔点以下不发生相变。 均匀整体熔化法和局部熔化法 其中均匀整体熔化法又包括温度梯度法、提拉法、液封提拉法、熔剂法、凝固析晶法、液相外延法等； 局部熔化法包含浮区法和火焰熔融法 制备单晶的各种熔体法比较 加热方式 方法名称 冷却方法 举 例 均匀整体熔化 凝固析晶法 熔剂法 温度梯度法 提拉法 缓慢冷却 缓慢冷却或蒸发后缓冷 温度梯度下缓冷 缓慢提拉冷却 氟云母纤维状人造氟石棉，BaTiO3，NiZn铁氧体，Si，Ge，Ga，As，TiO2，高温合金叶片，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 液封提拉法 液相外延法 缓慢提拉冷却 缓慢接触 局部熔化 浮区法 火焰熔融法 反复的缓慢接触冷却 熔化液滴缓慢冷却 Si，W，Mo，Al2O3红宝石，白宝石 §8.1 单晶的生长工艺 单晶材料的制备又称晶体生长，是物质的非晶态，多晶态，或能够形成该物质的反应物，通过一定的物理或化学手段转变为单晶状态的过程。 生长块状单晶材料多用熔体法，常温溶液法，高温溶液法等。 一、 熔体法生长晶体?从结晶物质的熔体中生长晶体 1、提拉法，又称邱克拉斯基(Czochralski)法，简称CZ法。工艺流程： 结晶物质熔化→籽晶接触熔体→提拉籽晶→晶体等径生长→晶体脱离熔体→退火 动画 视频 提拉法制单晶 即将耔晶浸入熔体中，缓慢提拉，生长单晶，其应用很广泛。 提拉法制单晶 CZ系统的主要组成 （a）CZ系统的主要组成 （b）籽晶以及从熔体中生长晶体的示意图 籽晶的作用 单晶硅 单晶硅片 单晶高温合金的生长 2、坩埚下降法　　 4、水平区熔法：(动画)　 5、浮区法：（动画）　 6、尖端形核法：（动画） 火焰熔融法制单晶 在炉内高温火焰的作用下从炉顶落下的原料粉末在途中熔化，熔体液滴聚集在炉底的棒尖上，在炉内保温部分缓慢冷却即可 溶液法晶体生长 在具有过饱和度的溶液中中溶质在耔晶面上长大形成较大的单晶体，为了保持过饱和度，可采用循环泵，使调节好过饱和度的母液循环流动到放置耔晶的容器里，也可以加压以提高溶解度。NaCl?、Ba(NO3)2等盐类用这种方法制备单晶体。 三、气相法生长晶体 ? 　利用气固间的高蒸汽压，通过压力差和温差形成过饱和度来制备单晶的方法。如升华法、气相反应法、气相分解法、气相外延法等。 四、固相法 应用最广泛的是应变后退火结晶的方法?。材料应变后退火，为了降低界面能，原子发生迁移，出现再结晶现象。 一般使多晶棒材从一端开始缓慢升温?，使先进入热区的部分出现异常晶粒长大，在最佳的条件下，可制成独立的单晶，如Al单晶的制备。 §8.2 氧化 目的：制备SiO2层 SiO2的优异性能： （1）良好的电绝缘体； （2）使表面钝化； （3）在宿主硅晶片的选择区域中，对控制掺杂原子的量起着至关重要的作用。 常用方法 干氧氧化：Si＋O2?SiO2 水汽氧化：Si＋H2O ?SiO2＋H2 湿氧氧化：在氧气与晶片接触之前，将干的氧气通入95℃高纯水中进行起泡处理 §8.3 光刻与浸蚀 光刻：先用感光抗蚀剂（光敏感聚合物）涂敷于氧化晶片之上；使用掩膜遮挡感光抗蚀剂，仅使其选定的区域暴露于紫外线下；紫外光则诱导聚合物中发生化学变化；使暴露或未暴露区域（负、正感光抗蚀剂）有选择性地被保护。 浸蚀：由氢氟酸去除不受感光抗蚀剂保护的氧化物膜区域。 材料科学与工程学院 材料科学与工程学院 材料工程基础—单晶与半导体工艺 * *