具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaNGaN高电子迁移率晶体管.docx

近十年来，氮化镓(GaN)电子器件在微波、功率应用中受到了越了越多的关注[1-2]。氮化镓(GaN)成为第三代化合物半导体材料中的佼佼者，其宽禁带(3.4 eV)、高临界击穿场(3.4 MV/cm2)、高饱和电子速度使AlGaN/GaN HEMT器件能够在较宽的温度范围内正常工作的同时，增加器件的击穿电压[3-4]。由于GaN与AlGaN接触形成突变异质结，在GaN上表面的量子阱中存在大量在垂直方向运动受限的自由电子，导致电子浓度(1×1013?cm-2)和迁移率较高(1 000~2 000 cm/V ·s)[5-7]。因此，AlGaN/GaN HEMT器件电流密度较大，导通电阻较低[8-9]