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Twin Well * * Two mask steps; Flat surface; Common used in advanced CMOS IC High energy, low current implanters Furnaces annealing and driving-in 第六十一页，共九十三页。 阱注入技术 阱注入决定了晶体管的阈值工作电压，同时可以减轻CMOS电路的一些常见问题如闩锁效应等。 * * 　　阱中器件沟道的掺杂浓度高于直接制作在衬底上的 ?体效应随掺杂浓度的增加而增加(如：沟道迁移率和输出电导下降、结电容增加等)?阱内的器件速度固有地比衬底中的同样器件速度慢； 　　典型的阱掺杂浓度比衬底高几个数量级，所以衬底浓度的任何不确定性将不影响阱的浓度。 第六十二页，共九十三页。 阱注入技术 ―倒掺杂技术 * * 先采用高能量、大剂量的注入，深入外延层大概1um左右；随后再在相同区域进行注入能量、结深及掺杂剂量都大幅度减小的阱注入。 目标：优化晶体管的电学参数。 　 该技术由于采用高能离子注入将杂质直接注入到所需深度，从而避免了杂质的严重横向扩散。 而且由于表面处的杂质浓度较低(常称为反向阱)，除了提高集成度外，还有助于减少CMOS结构中寄生双极晶体管效应，从而减少闩锁效应的发生。 第六十三页，共九十三页。 场注入(沟道阻止注入)技术 为了制造实用的MOS管，在N阱CMOS工艺中一直谨慎的减小阈值电压。 LOCOS可使用厚的场氧来提高场区的阈值电压，避免在场氧下形成反型层(寄生沟道 )；同时在场区下面选择性注入一些杂质来提高厚场区的阈值电压。 P区接受P型的场区注入，N区接受N型的场区注入。场区注入通常是在氧化之前进行。 * * 第六十四页，共九十三页。 * * 场注入的作用 所有场氧生长的地方都需要进行场注入： * 场区注入时可以确保场氧在较大电压偏置下不会形成反型层，即形成寄生沟道； * 重掺杂下的反偏PN结的反向漏电流很小，确保两个MOSFET之间不会导通。 第六十五页，共九十三页。 栅氧和阈值电压调整 未经调整的PMOS管的阈值电压在-1.5V到-1.9V 之间，NMOS可能在-0.2V到0.2V之间。所以在栅氧(厚度在0.01um~0.03um)生长后，一般在栅氧区注入硼来进行阈值电压调整。 * * 工艺上一般同时对NMOS和PMOS进行阈值电压调整，将NMOS 阈值电压调整到0.7~0.8V, PMOS调整到0.8V~0.9V。 阈值电压调整可以 降低阱的掺杂浓度。 第六十六页，共九十三页。 * * Early STI * Channel Stop Implantation, Boron * Oxide Etch Back, Stop on Nitride * Strip Nitride, Oxide Etch Back, Oxide Annealing 第六十七页，共九十三页。 * * Advanced STI /1 No need for channel stop ion implantation to raise the field threshold voltage； * Pad Oxidation and LPCVD Nitride * STI Mask 第六十八页，共九十三页。 * * Advanced STI /2 * Etch Nitride, Oxide, and Silicon, Strip Photoresist * HDP CVD Oxide * CMP Oxide, Stop on Nitride, Nitride Strip 第六十九页，共九十三页。 Transistor Making: Metal Gate /1 Form source/drain first – Diffusion doping with silicon dioxide mask Align gates with source/drain, then gate area was etched and gate oxide is grown The third mask define the contact holes; The fourth mask form metal gates and interconnections; Last mask defined the bonding pad. * * 第七十页，共九十三页。 Transistor Making Metal Gate /2 * Field Oxidation, and Photoresis