（整理）PIE+YE知识总结..pdf

（（整整理理））PIE+YE知知识识总总结结. Question Answer PIE PIE 1. 何谓PIE? PIE的主要⼯作是什⼳? 答：Process Integration Engineer(⼯艺整合⼯程师), 主要⼯作是整合各部门的资源, 对⼯艺持 进⾏改善, 确保产品的良率 （yield）稳定良好。 2. 200mm， 00mm Wafer 代表何意义? 答：8吋硅⽚(wafer)直径为200mm , 直径为 00mm硅⽚即12吋. . ⽬前中芯国际现有的三个⼯⼚采⽤多少mm的硅⽚(wafer)⼯艺？未来北京的Fab4(四⼚)采⽤多少mm的wafer⼯艺？ 答：当前1~ ⼚为200mm(8英⼨)的wafer, ⼯艺⽔平已达0.1 um⼯艺。未来北京⼚⼯艺wafer将使⽤ 00mm(12英⼨)。 4. 我们为何需要 00mm? 答：wafer size 变⼤，单⼀wafer 上的芯⽚数(chip)变多，单位成本降低200→ 00 ⾯积增加2.25倍,芯⽚数⽬约增加2.5倍 5. 所谓的0.1 um 的⼯艺能⼒(technology)代表的是什⼳意义？ 答：是指⼯⼚的⼯艺能⼒可以达到0.1 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越⼩时，整个器件就可以变的越⼩，⼯作速度也越 快。 6. 从0. 5um-0.25um-0.18um-0.15um-0.1 um 的technology改变⼜代表的是什⼳意义？ 答：栅极线的宽 （该尺⼨的⼤⼩代表半导体⼯艺⽔平的⾼低）做的越⼩时，⼯艺的难度便相对提⾼。从0. 5um - 0.25um - 0.18um - 0.15um - 0.1 um 代表着每⼀个阶段⼯艺能⼒的提升。 7. ⼀般的硅⽚(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型 （type）,何谓N, P-type wafer? 答：N-type wafer 是指掺杂negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅⽚, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素( 价电荷 元素, 例如：B、In)的硅⽚。 200mm 00mm 8〞12〞 8. ⼯⼚中硅⽚ （wafer）的制造过程可分哪⼏个⼯艺过程(module)？ 答：主要有四个部分：DIFF （扩散）、TF(薄膜)、PHOTO （光刻）、ETCH （刻蚀）。其中DIFF⼜包括FURNACE(炉管)、 WET(湿刻)、IMP(离⼦ 注⼊)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理⽓相淀积)、CVD(化学⽓ 相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅⽚的制造就是依据客户的要求，不 断的在不同⼯艺过程 （module）间重复进⾏的⽣产过程，最后再利⽤电 性的测试，确保产品良好。 9. ⼀般硅⽚的制造常以⼏P⼏M 及光罩层数(mask layer)来代表硅⽚⼯艺的 时间长短，请问⼏P⼏M及光罩层数(mask layer)代表什⼳意义？ 答：⼏P⼏M代表硅⽚的制造有⼏层的Poly(多晶硅)和⼏层的metal(⾦属导线).⼀般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6 层的metal)。⽽光罩层数 （mask layer）代表硅⽚的制造必需经过⼏次的PHOTO （光刻）. 10. Wafer下线的第⼀道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的⽬的是为何？ 答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表⾯。 ②在laser刻号过程中,亦可避免被产⽣的粉尘污染。 11. 为何需要zero layer? 答：芯⽚的⼯艺由许多不同层次堆栈⽽成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。 12. Laser mark是什⼳⽤途? Wafer ID ⼜代表什⼳意义? 答：Laser mark 是⽤来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅⽚的⾝份证⼀样,⼀个ID代表⼀⽚硅⽚的⾝份。 1 . ⼀般硅⽚的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分？ 答：①前段 （frontend）-元器件(device)的制造过程。 ②后段 （backend）-⾦属导线的连接及护层 （passivation） 14. 前段 （frontend）的⼯艺⼤致可区分为那些部份? 答：①ST I的形成(定义AA 区域及器件间的隔离) ②阱区离⼦注⼊ （well implant）⽤以调整电性 ③栅极(poly gate)的形成 ④源/漏极 （source/drain）的形成 ⑤硅化物(salicide)的形成 1