计及流-热耦合热网络模型的IGBT结温计算.docx

1 引言 绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)因其高效的电能转换效率被广泛应用于轨道交通、新能源发电和电动汽车等领域[1-2],广泛的应用工况对IGBT模块的可靠性提出了更高的要求。相关工业统计表明,温度因素是造成功率器件失效的主要原因[3],包括最高结温、平均结温、基板壳温和散热器温度在内的温度因素会对IGBT模块的损耗计算、剩余寿命和可靠性评估产生重要影响[4-5]。因此,IGBT模块的结温计算对于保障电力电子变换器的可靠运行具有重要意义。 IGBT模块的结温计算方法大致可分为直接测量法、热敏电参数法和热网络法[6]。其中,直接