集成电路工艺讲义.pptVIP

集成电路工艺讲义 * * 第1页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 目的：把经过曝光, 显影后的光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉, 即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。 * * 第2页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 §2 VLSI对图形转移的要求 保真度 选择比 均匀性 清洁度 * * 第3页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 dm dm df df df dm 保真度： A=|df－dm| / 2h 1A 0 * * 第4页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 选择比：如SiO2的刻蚀中 对光刻胶和硅的腐蚀速率很低 对SiO2的腐蚀速率很很高 * * 第5页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 均匀性 平均厚度h，厚度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最厚处h*(1+ ?),最薄处h*(1－ ?) 平均刻蚀速率V，速度变化因子?， 1 ≤ ? ≤0，最大速度V*(1+ ?),最小速度V*(1－ ? ) * * 第6页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 刻蚀时间差 TM－Tm=[ h*(1+ ?) / V*(1- ?) ] －[h*(1－ ?) / V*(1+ ?)] 粗细线条兼顾，折中 洁净度 防止沾污 * * 第7页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 §3 刻蚀方法 干法刻蚀:横向腐蚀小,钻蚀小,无化学废液,分辨率高,细线条 操作安全，简便；处理过程未引入污染：易于实现自动化，表面损伤小 缺点:成本高,设备复杂 * * 第8页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 湿法刻蚀:操作简单,成本低廉,用时短 湿法干法结合 湿法去表层胶，干法去底胶 * * 第9页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 一.干法刻蚀原理 基本原理：腐蚀剂气体与被腐蚀样品表面接触来实现腐蚀。 * * 第10页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 反应腔加上射频电场，刻蚀气体放电产生等离子体，等离子体处于激发态，有很强的化学活性，撞击在硅片上，发生反应，腐蚀硅化物。 1.多晶硅、氧化硅、氮化硅，采用CF4刻蚀 两类物质的腐蚀： * * 第11页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 CF4 CF3+F* CF3 CF2+F* CF2 CF+F* Si+4F* SiF4 SiO2+4F* SiF4 +O2 Si3N4+4F* 3SiF4 +2N2 * * 第12页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 2.铝及其合金----氯基CCl4,CHCl3 3.难熔金属－－氯基或氟基 TaSiX+nF－－TaF5+SiF4 TaSiX+nCl－－TaCl5+SiCl4 4.光刻胶－－－O2 * * 第13页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 二. 常用材料的腐蚀剂 * * 第14页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 三.影响刻蚀速度的条件 气体压力 气体流量 射频功率 温度 负载效应 腐蚀剂选择比 * * 第15页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 刻铝中的问题 铝表面的氧化铝难刻 中间产物AlCl4,BCl3淀积在表面，阻止刻蚀 * * 第16页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四 四.湿法腐蚀 湿法的刻蚀原理：湿法是接触型腐蚀，以HF酸腐蚀SiO2为例： SiO2 + 4HF = SiF4 + 2H2O此反应的产物是气态的 SiF4和水,其反应速率R可用 Arrhenius方程描述：R = R0exp(-Ea/kT)，其中R0是常数，Ea是反应的激活能，k是玻耳兹曼常数，T是温度。 * * 第17页，共24页，2022年，5月20日，1点36分，星期四