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电路与系统答案 ●题1，电阻，二极管形式连接的mos管和栅接固定偏置的mos作负载的共源放大器的 小信号分析，写出电路的增益和输出阻抗。 电阻功率二极管搞功率 固定偏置做负载（电流镜 电阻并作功率—— 输出阻抗：rout=rd增益：av=gm*rd 二极管并作功率—— 输出阻抗：rout=gm11增益：av=gm2gm2 紧固偏置并作功率—— 输出阻抗：rout=ro1ro2增益：av=gm1*ro1ro ●题2，试用频率响应节点对数分析方法去分析电阻并作功率的单级共源放大器(增益10) 的频率响应特性，写出其传递函数。 例如图存有两个节点：x和vout 在节点x处，由miller近似有 cx=cgs+(1-av)cgd rx=rs 主极点为：ωin=1rs[cgs+(1+gmrd)cgd] rd(cdb+cgd)非主极点为：ωout= 所以传递函数为：vout(s)=vin-gmrdss(1+)(1+)winwout ●题3，试列举无源电阻、无源电容的种类 电阻：源/凿蔓延电阻、p阱（n阱）蔓延电阻（阱电阻或导线电阻）、转化成电阻、多晶电阻、薄膜电阻； 电容：pn结电容、mos电容、多晶与体硅之间的电容（pis）、双多晶电容（pip）、mos器件作电容、金属与多晶电容（mip）、多晶与场注入区的电容、mim电容 ●题4，直观mos电流镜小的电流增益系统误差就是由哪种二阶效应引发的？存有什么可以 减小电流镜电流增益系统误差的方法？为什么？ 请问：导线长度调制效应，可以减少电流镜导线长度，这样可以增加调制系数。 因为由于沟道调制效应有i≈1wμncox(vgs-vth)2(1+λvds)其中λ为沟道调2l ●题5，什么就是噪声功率五音密度和转角频率？ 噪声功率谱密度：功率谱密度表示了在每一频率下，信号所带有的功率大小。在以某一频率为中心的1hz带宽内，信号所带有的平均功率称为该信号在该频率下的功率谱密度。 转角（corner）频率：对于mos管来说，flicker噪声与漏端电流噪声的影响一样时的工作频率。 ●题6，导致差分放大器成为非平衡结构的失配因素有哪些？如何评价这些失配因素的影 响？有何方法增大失配？ 因素：有差分输入对管不匹配、还有运放的负载管的匹配以及版图匹配影响； 放大器的失配与温漂在输入端的产生了难以辨别的直流差模电压； 减少适配方法：可以增大差分输入对管尺寸、由工艺消除失配、版图减少失配等。●题7，试分析高频小信号下mos管工作在饱和区、线性区时的电容特性，包括电容的 1、栅与导线之间的栅氧电容c2=wlcox，其中cox为单位面积栅氧电容εox/tox; 2、沟道耗尽层电容： c3=3、源漏区与衬底间的结电容：cbd、cbs,而每一个单位面积pn吴厝庄的势垒电容;为： mcbd,bs=whcj+(w+h)cjs;cj=cj0/[1+vr/φb],源漏的总结电容可表示为： 4、交错电容（多晶栅全面覆盖源漏区所构成的电容，每单位宽度的交错电容记作col）：包含栅源交错电容与栅凿交错电容：由于就是环状的电场线，c1与c4无法直观地译成wdcox，须要通过更繁杂的排序就可以获得，且它的值与衬底偏置有关。1)栅凿交错电容c4=col?w，2)栅源交错电容c1= 饱和区和线性区的电容。 5、栅与衬底间电容cgb→0。2cox?wl+col?w，融合右图分别了解3 ●题8，饱和区和线性区萨式方程 请问：饱和状态区时：i=1wμncox(vgs-vth)22l 线性区时：i=μncoxwl12??(v-v)v-vds?gsthds?2?? ●题9，如图所示，试画出来m1管栅极输出电压vi从低电平(0v)至vdd变化过程中，赢 出电压vo的变化曲线（注意衬底偏置效应的影响） 请问：拉扎佩中文版p22 ●题10，什么是差分信号？差分信号处理电路相对于单端信号处理电路有哪些优点和缺 请问：差分信号——两个节点电位之差，且这两个节点的点位相对于某一紧固电位大小二者 等，相位相反； 优点：抗干扰能力弱、消解共模阻碍，只压缩差模信号 缺点：由于有两个输入端口，所以消耗了更多功耗、需要更大的面积 ●题11，考量mos管二阶效应的影响，图画出来如下图右图共源共栅放大器的低频大信号等 效电路并进行小信号分析，推导出mos