绪论、电力电子器件及其使用相关技术.pptVIP

2. 电力电子器件 自我熟悉各种电力电子器件相关内容： (1) 类型及特点； (2) 通、断过程机理； (3) 特性、主要性能参数及其意义； (4) 电路运行条件对器件性能或特性的影响； (5) 驱动及要求； (6) 使用保护(电压保护、电流保护等)。 耐高温：最高工作温度有可能超过600oC; 耐高压：击穿电场强度高； 电流容量大、通态压降小：通态电阻比(器件单位面积的通态电阻)同功率 等级硅器件的1/100～1/200； 工作频率高：相比同功率等级的硅MOS器件工作频率至少提高10倍以上， 等等。 一些宽禁带半导体电力电子器件已经商品化，如，1200V/20A的Sic肖特 基二极管系列产品已有出售；一些Sic-MOS器件已经投入使用等等，详细 可查看《宽禁带半导体电力电子器件及应用》，陈治明、李守智编著，机械 工业出版社，2009年1月。 四. 常用电力电子器件 ③ 通、断过程机理分析 t≥ t1, uD由反向偏置转为正向, t ≥ t2, 二极管正偏导通, iD缓升。器件在导通期存在动态压降, uD可表示为： 器件导通初期，器件电阻主要是掺杂浓度较低的N区欧姆电阻(中央区电阻), 阻值较高且基本稳定, uD随iD增大而升高。iD达到一定值后，由于注入并累积在N区的空穴(少子)不断增加，使电阻率明显降低, N区电阻随iD增大反而下降—电导调制效应。电导调制效应使uD在达到峰值Ufm后转为下降。 iD 2V uD t t t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7 t8 U0 ② 类型：根据不同导电机理：结型(PN结型，双极型器件)、势垒型 (单极型器件)；根据不同反向恢复速度：普通型、快速及超快恢复型；根据不同反向电流衰减速度：硬恢复、软恢复型。 2. 电力电子器件 当iD=IFm时，有： Ron——对应稳态电流Ifm的稳态导通电阻。 五. 电力电子器件的缓冲电路： 1. 耗能式缓冲电路 电力电子器件由断态转为导通时：① 可能流过较大di/dt，对开关器件造成di/dt损害；② 开关S 两端电压与流过S 的电流可能同时为最大，造成较大开通损耗，如图所示—— 需施加开通缓冲电路。 RL ＋ － S VCC uC iC (1) 开通缓冲 RL ＋ － S VCC uC iC Lon Don RL ＋ － S VCC uC iC Lon Ron Don VCC RL ＋ － S uC iC Lson Ron Don Lon: 缓冲电感; Don: 续流二极管; Ron: 耗能电阻; Lson: 饱和电感→起始Lson为高阻抗→ uC 下降到零→ iC 最大→ Lson 处于饱和→开通缓冲效果更佳。 iC uC PC t Lon较小 iC uC PC t Lon较大 t iC uC PC Lon=0 抑制 di/dt 耗散 Lon能量 改善 缓冲效果 开通后使 Lon失效 2. 电力电子器件 五. 电力电子器件的缓冲电路 (2) 关断缓冲 S由通态转为关断时：① 可能出现过大瞬时电压尖峰(回路中电感或杂散电感引起)以及过大di/dt (易使器件误通) ，对S造成电压损害；② 开关S 两端电压与流过S 的电流可能同时为最大，造成较大开通损耗，如图所示—— 需施加关断缓冲电路。 RL ＋ － S VCC uC iC COff RL ＋ － S VCC iC RL ＋ － S VCC iC COff ROff uC iC PC t COff较小 uC iC PC t COff较大 uC iC PC t DOff RL ＋ － S VCC iC COff ROff RCD型 DOff RL ＋ － S VCC iC COff ROff 放电阻止 型 抑制 du/dt 耗散 Coff能量 改善抑制 du/dt效果 Coff能量 释放给负载 2. 电力电子器件 (3) 复合缓冲 RL ＋ － S VCC iC Lon R D C 将开通缓冲与关断缓冲二者结合起来，可组成如图所示 的复合缓冲电路。 S开通时， Lon缓冲电流上升率，抑制di/dt。 S关断时，C经D旁路S，吸收关断时电路中的额外能量，防止关断瞬时电压尖峰对S造成损害。 S再开通时， C经R、Lon、S放电，为吸收S再次关断时的额外能量做好准备。 2. 馈能式(无损)缓冲电路 (1)馈能式开通缓冲电路 VCC RL ＋ － S iC Don DL * * 1:N 无源馈能式开通缓冲如图所示。缓冲电路接有匝数比1:N、同名端相反的变压器。S开通时， 变压器一次侧具有一定电感，起缓冲电感作用。 S关断