《集成电路设计》.ppt

第四章;集成电路是由元、器件组成。元、器件分为两大类： 无源元件 电阻、电容、电感、互连线、传输线等 有源器件 各类晶体管 ;IC中有多种电容结构 MOS 电容结构 PN结电容结构 金属叉指电容结构 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅电容 I C中主要电容器 MOS 电容 PN结电容; ? MOS电容器与平板电容和PN结电容都不相同。 ?因为金属-氧化物-半导体层结构的电容具有独特的性质。 ? 电容—电压特性取决于半导体表面的状态, 随栅极电压变化，表面可处于： 积累；耗尽; 反型. ;P;Al;;二、PN结电容;;三、 平板电容;§ 4.2 集成电阻器及版图设计;1、合金薄膜电阻 ;方块电阻的几何图形 ;根据掺杂工艺来分类 扩散电阻 对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻，精度较难控制 离子注入电阻 离子注入方式形成的电阻，阻值容易控制，精度较高;利用与集成电路兼容的扩散层构成，主要根据掺入杂质浓度和扩散形成的结深决定阻值。 ;N+发射区; 沟道电阻（夹层电阻）利用不同掺杂层之间的沟道形成的电阻器;因结深难以精确控制，所以沟道电阻的阻值也不能精确控制，精度要求高的电路不能采用沟道电阻。;MOS多晶硅电阻; 集成电路中几种扩散电阻器的比较;扩散电阻的功耗限制;(PA max/ R□)1/2; 扩散电阻的最小条宽;;晶体管有源电阻;晶体管有源寄生电阻;§ 4.3 集成电路的互连技术和电感; 在连接线传输大电流时，应估计其电流容量 并保留足够裕量。 ;集成电路总电感可以有两种形式 单匝线圈 多匝线圈 ;编辑课件;4. 4 集成器件和电路版图设计;微米设计规则 以微米为尺度表示版图最小允许值得大小。;按比例缩小原则;;;双极型集成电路基本制造工艺相应的版图; 第二次光刻 P+隔离扩散孔光刻; 第四次光刻 N+发射区扩散孔、 集电极引线扩散孔光刻; 第六次光刻 金属化内连线光刻- 反刻铝 ;栅压为零时，沟道不存在， 加上一个正的栅压才能形 成N型沟道;硅栅CMOS器件(反相器);编辑课件;CMOS反相器工作原理;N阱CMOS设计规则;N阱硅栅CMOS工艺流程 CMOS反相器;编辑课件;编辑课件;编辑???件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件;编辑课件; 版图设计;编辑课件;六. 双极和MOS集成电路的比较;掌握各种电阻、电容，电感，认识相应的结构图 扩散电阻的最小线宽受哪些因素限制，理解每一种因素 理解版图设计规则和按比例缩小原则 PNP晶体管和双极集成电路版图的设计 CMOS反相器原理，结构图以及N阱硅栅CMOS工艺 双极和MOS集成电路比较