《IC单元版图设计》.ppt

整理课件 整理课件 边缘电容：当电容非常小时，电容并不能完全根据单位电容按比例变化。通过测试大量不同尺寸的电容器，研究人员发现对于小的电容器，电容值比预想的要大。 - 研究发现沿着极板的边缘隐藏着电容，称为边缘电容。在远离电容器边缘的区域，边缘电容可以忽略。 - 边缘电容Cperiphery ： 单位边缘电容常数乘以电容器的总周长 - 总电容： Ctotal = Carea + Cperiphery= L*W*C1 + (2(L+ )+2(W+ ))C2 整理课件 基本IC单元版图设计 – 电容 练习题： 整理课件 N阱电容器： - N阱与多晶硅覆盖部分的面积即为电容器的面积。 由于N阱存在电阻，因此N阱电容器的下极板明显存在着串联电阻。可通过在上极板的两边或四边都放置接触孔的方法来降低串联电阻。 扩散电容器： - 上极板使用一大块多晶硅栅，下极板使用N阱，栅下面的二氧化硅作为电介质，用n+作为下极板N阱的接触区，因为上极板是一大块栅，所以采用马蹄形的多个金属接触孔。称之为“扩散电容器”。 基本IC单元版图设计 – 电容 N well N+ gate N well capacitor gate M1 diffusion capacitor 整理课件 基本IC单元版图设计 – 电容 寄生电容 整理课件 金属电容器： - 大多数用于信号传输的电容器都由金属制备而成。这样就消除了寄生pn结，从而消除了寄生二极管的固有电容，同样，对电压的依赖性也消除了。 - 由于上下层金属间隔较远，所以为了得到与扩散电容器相同的电容值，需要制备的金属极板面积将大大增加。所以相同容值的金属-金属电容器比扩散电容器占用的面积多得多。然而，为了得到一个性能优越的信号传输电容，必须承受这种牺牲。 基本IC单元版图设计 – 电容 整理课件 基本IC单元版图设计 – 电容 M1 M2 M3 M4 叠层金属电容器 - 为了减少所占面积，可以采用“叠层金属电容器”： 多层金属平板垂直地堆叠在一起，将奇数层和偶数层的金属分别连在一起，形成两个梳状结构的交叉，通过正确交叉连接金属，可以在单位芯片面积上获得更大电容。 整理课件 - 当金属用作芯片互联线时，要做的是减小金属之间的电容，而不是产生电容。所以，通常金属与金属之间的绝缘层非常厚，以减小寄生电容。但厚的绝缘层使金属电容器变得非常庞大，所以，用这种方法制备电容并不是非常有用。 - 氮化硅具有较高的介电常数，可以作为非常薄的介质层。 - 可以采用具有较高介电常数且易于用CVD（化学气相沉积）方法制备的材料“氮化硅”来用作金属-金属之间的电介质。不过需要额外的掩模板和工艺步骤。 M1 M2 氮化物介质电容器 介质(氮化物) 整理课件 基本电感： - “右手定则”，又称“Hitchhiker定律”。 - 如果导线上有电流，那么它产生的磁场会使附近导线产生电流，即第二根导线会感应出电流，这称为“电感”。 - 磁场不仅会与周围的ic器件相互作用，而且对导线本身的电流产生影响，这种现象称为“自感”。 - 稳定的直流电流会产生静止的磁场。静止的磁场对其他导体虽然有影响，但不会在这些导体中产生电流。 基本IC单元版图设计 – 电感 整理课件 基本IC单元版图设计 – 电感 - 电容上电压频率增加时，其传导电流的能力加强，电感的特性与之不同。电感上电压频率增加时，变化的磁场会感应出电压与电流，并与原来的电压电流方向相反，这样原来的电压电流就会被抵消掉一部分。频率越高，此效应越严重，流过电感的电流就越小。 “电容对高频来说是通路，电感阻碍高频信号通过。” - 电感主要用于高频电路中，或作为匹配电路，或作为射频扼流圈。也可用电感制作片上变压器。 整理课件 拐角特征化 整理课件 螺旋电感： - 螺旋电感，字面上是将导线绕成螺旋形状。 - 螺旋电感不仅节省空间，还有另一好处，就是螺旋线每一圈形成的磁场会与其他圈产生的磁场相互作用，使总的电感比相同长度的导线产生的电感量大，称为互感。 - 螺旋电感金属层性质对器件性能有严重影响。电感的金属层很薄，就会有寄生电阻，金属的电阻特性会影响电感的Q值。 基本IC单元版图设计 – 电感 整理课件 基本IC单元版图设计 – 电感 电感品质因子： - 寄生电阻、电容会对电感性能有不利的影响。低频和高频时，串联电阻和电容分别会使电感偏离理想的频率响应。