差分式放大电路.pptxVIP

会计学 1 差分式放大电路 集成电路：在半导体制造工艺的基础上，把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路。 绪论 模拟集成电路，数字集成电路。 模拟集成电路：运算放大器、宽频带放大器、　　　　　　　　　　功率放大器、模拟乘法器、　　　　　　　　　　　模拟锁相环、模数和数模转换器、　　　　　　　　稳压电压集成电路等。 集成电路的基片一般是由一块约0.2-0.25mm的P型硅片制成。 第1页/共64页 二.集成电路的特点（同分立器件电路相比）： 1.电路结构与元件参数具有对称性；同一硅片，相同工艺→元件特性相同。 2.大电阻不易集成；硅半导体的体电阻→阻值范围不大（几十欧到几十K欧）, 误差大（10%到20%)；尽量少用电阻,常用有源器件代替无源器件。 3.采用复合结构的电路 电路中多采用复合管、共射-共基、共集-共基等组合电路。 4.级间采用直接耦合方式（级间耦合：阻容→直接） 大电容不易集成。PN结电容→几十皮法以下。 5.电路中常使用二极管 二极管多用作温度补偿元件，常用BJT的发射结构成。 第2页/共64页 6.1 集成电路运算放大器中的恒流源  镜像电流源  多路电流源  电流源作有源负载  微电流源  概述 第3页/共64页 1. 概述 实现恒流源的基本思想 IC恒定  IB恒定  VBE恒定 第4页/共64页 1. 概述 负载为RC， 缺点：1. 受电源波动影响大； 2. 电阻过多 第5页/共64页 2. 镜像电流源 恒流特性 无论Rc的值如何， IC2的电流值将保持不变。  VBE  T   IC  IB IC  IREF   IB 第6页/共64页 2. 镜像电流源 交流电阻 由于T2的集电极电流基本不变。所以交流量  一般Ro在几百千欧以上 电流源具有直流电阻小而交流电阻很大的特点。 第7页/共64页 精度更高的镜像电流源（β不够大时） 由于增加了T3，使IC2更加接近IREF（如何证明） 缺点： 1. 受电源波动影响大； 2.电流最低至mA级。 　IC2=IC1=IREF-IB 　=IREF-IE3/(β+1) 如β＝10　 IC2=0.982 IREF 增加电阻Re3　目的是使IE3增大。 第8页/共64页 3. 微电流源 所以IC2也很小 第9页/共64页 3. 微电流源 iC1=ICSexp(vBE1∕VT)； iC2=ICSexp(vBE2∕VT) VT=26mV；IC1 mA级；IC2 uA级；Re千欧级 优点：受电源波动影响小； 公式推导 第10页/共64页 3. 微电流源--稳定性讨论 对上式微分，可得 1. 输出电流稳定性比参考电流稳定性要好的多； 2. IC1越大，IC2越小，则其稳定性越好。 第11页/共64页 4.　多路电流源 组成 公式推导 　IC=IREF　- ∑ IB/β 当β较大时　IC=IREF 由于各管的β， VBE相同，则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3 所以　　IC1≈IE1=IREFRE/RE1 第12页/共64页 5. 电流源作有源负载 共射电路的电压增益为： 对于此电路Rc就是镜像电流源的交流电阻， 因此增益为 比用电阻Rc作负载时提高了。 放大管 第13页/共64页 6.2 差分式放大电路  电路组态 6.2.1 基本差分式放大电路 6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性  主要指标计算  几种方式指标比较  改进电路 第14页/共64页 电容耦合：隔离各级的静态工作点。 直接耦合：各级的静态工作点相互影响。 一 电路的耦合方式 基础概念 第15页/共64页 1.定义：输入为零时，输出还有缓慢变化的电压产生， 即输出电压偏离原来起始点而上下波动。 2.原因：温度变化，电源电压波动等内部原因。 3.影响：静态工作点，与被放大信号混淆，被后级传 播恶化。 4.等效表示：⊿vi=⊿vo/AV 折合到输入端，便于输入信号比较。 二、零点漂移 第16页/共64页 图1.b 三. 零漂的克服 由稳定静态工作点电路，考虑到直接耦合的情况得到图1（a）。 图1.a 如果存在一个产生零点漂移的信号源，从输出信号中扣除掉，就可以克服零点漂移,图1（b）。 。 第17页/共64页 图1.c 差分式放大电路 第18页/共64页 四. 定性分析 1.当vi 1=vi 2时，输出vo=vo1-vo