武汉理工材料物理学9.pptxVIP

会计学;5.1概述;5.4半导体物理 ;半导体与p-n结;如果一个电子过来填充这个空穴，那么它原来的能级上又会出现一个空穴。所以空穴可以携带一个正电荷，空穴的移动也会产生电流。如果在半导体材料上加上电压，导带上的电子朝正极移动，价带上的空穴则向负极移动;图5.4-1在外加电压作用下,半导体中的电子在导带中移动,空穴则在价带中朝相反方向移动 ;第6页/共32页;第7页/共32页;本征半导体中，通过控制温度来控制载流子的数量及其导电性。在绝对零度时，所有的电子都处于价带，导带中的所有能级都是空的。当温度升高时，电子占据导带能级的可能性也增加，半导体的导电性也随之增加。半导体中的导电性与温度的这种关系刚好与金属相反。在金属中，导电性是随着温度升高而降低的。 ;在实际应用中，本征半导体由于两种载流子的数量相等，显示不出它们彼此的特性。所以不能用来制作晶体管之类的电子器件。但是本征半导体对光、射线、温度的作用非常敏感，使半导体的载流子数量随之发生明显变化，因此可用来制作一些探测器。 ;锗比硅容易提纯，所以最初发明的半导体三极管是锗制成的。但是，锗的禁带宽度（0.67eV）只有硅的禁带宽度（1.11eV）的大约一半，所以硅的电阻率比锗大，而且在较宽的禁带中能够更加有效地设置杂质能级，所以后来硅半导体逐渐取代了锗半导体。硅取代锗的另一个主要原因是在硅的表面能够形成一层极薄的SiO2绝缘膜，从而能