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激光电源的开关器件IGBT讲解会计学第1页/共19页激光电源的开关器件IGBT教学目标：1、了解IGBT的结构与工作原理；2、了解IGBT的主要技术参数。第2页/共19页激光电源的开关器件IGBT1、IGBT概述 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，=BJT(双极型三极管) +MOSFET(绝缘栅型场效应管) 是复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT模块实物图第3页/共19页激光电源的开关器件IGBT IGBT的特点：（1）GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（2）MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（3）IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小、开关速度高而饱和压降低。（4）适合应用于直流电压在400V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等工程领域。第4页/共19页激光电源的开关器件IGBT等效电路图2、IGBT结构结构图 N沟道增强型IGBT结构图与等效电路图第5页/共19页激光电源的开关器件IGBT 右边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构示意图。是在N沟道MOSFET的漏极N层上又附加上一层P层组成的 PNPN四层结构的半导体。 N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。P+区称为漏区。 IGBT结构图 器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。第6页/共19页激光电源的开关器件IGBT 在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector）。 它是IGBT特有的功能区，与亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。 附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。第7页/共19页激光电源的开关器件IGBT开通 IGBT的开关原理：关断 加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。 反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。 IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极的N沟道MOSFET就可以控制IGBT，所以具有高输入阻抗特性。第8页/共19页激光电源的开关器件IGBT3、IGBT主要技术参数 （ 1）集电极-发射极额定电压Uces。 器件的雪崩击穿电压而规定的电压值，是栅极-发射极短路时IGBT能够承受的耐压值。 （2）?栅极-发射极额定电压Uges。 是栅极控制信号的电压额定值。目前，IGBT的Uges值大部分为+20V。第9页/共19页激光电源的开关器件IGBT （3）额定集电极电流Ic。 表示IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前，市场上IGBT模块的电流可达1000A以上。 （４）集电极-发射极饱和电压Uce(sat)。 是IGBT在正常饱和导通时集电极-发射极之间的电压降。这个值越小，管子的功率损耗就越小。第10页/共19页激光电源的开关器件IGBT （5）开关频率。 是IGBT的每秒钟开通和关断的最大次数。 开关频率是以导通时间Ton、下降时间Tf和关断时间Toff形式给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率。 一般IGBT的实际工作频率都在100kHz以下，开关频率高是IGBT模块的一个重要优点。第11页/共19页激光电源的开关器件IGBT4、IGBT的选择（1） IGBT额定电压的选择 三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流母线电压的最大值：U0=380X1.414=537V 在开关工作的条件下，IGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1 200V电压等级的IGBT。第12页/共19页激光电源的开关器件IGBT（2） IGBT额定电流的选择　 以30kW电源为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，最大负载电流约为119A ，建议选择150A电流等级的IGBT。第13页/共19页激光电源的开关器件IGBT（3） IGBT开关参数的选择 开关电源的开关频率一般在10~20 kH Z，而在实际工作的过程中，IGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT。第14页/共19页激光电源的开关器件IGBT（4） 影响IGBT可靠性因素　a.栅电压。 IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～18V，最高用到20V。　 在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5~- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。第15页/共19页激光电源的开关器件IGBT b）Miller效应。　为了降低Miller效应的影响，在IG