微电子器件原理第章长沟道MOSFETs.pptVIP

7.1本证MOSFET电容--亚阈区 反型层电荷变化可以忽略，当电势变化时，只有耗尽层电荷变化。因此，本证的栅-源-漏电容基本上是零（讨论在5.2.2部分），栅-to-体电容等于氧化层电容和耗尽层电容的串联。 （53） Cd：电位面积耗尽层电容，在漏电压较大时，耗尽层宽度变宽，耗尽层电容减小。 第六十二页，共八十六页。 7.1本证MOSFET电容--线性区 表面沟道一旦形成，由于反型层电荷的屏蔽作用，栅-体之间的电容很小，所有的栅电容是栅对沟道，源极，漏极的电容。由薄层电荷理论，低漏电压时： 源端反型层电荷面密度： 漏端反型层电荷面密度： 栅下总的反型层电荷： 栅对沟道的电容简化为氧化层电容 ： 第六十三页，共八十六页。 7.1本证MOSFET电容--饱和区 （24） （27） 在夹断点（饱和），漏端电荷密度为0，饱和电压Vds=Vdsat=(Vg-Vt)/m，由（24）式和（27）式得，y点反型层电荷面密度为： （55） 上式在沟道长度和宽度方向积分得总的反型层电荷为： 栅-to-沟道电容为： （56） 第六十四页，共八十六页。 7.2反型层电容 以前的讨论均是在薄层电荷近似的基础上得出的，一旦反型，表面势被钉扎在?S=2?B,在此条件下，反型层电容可以忽略不计。但实际上，反型层有一定的厚度，反型后随着栅电压的增加，表面势也会有一些变化，这时反型层电容不能忽略。 第六十五页，共八十六页。 Qi-Vg关系曲线实线（零漏电压时，Pao and Sah’s model）；虚线（电荷控制模型） 第六十六页，共八十六页。 7.2反型层电容计算 （57） Cd近似为零，因为一旦出现强反型后，反型层电荷将屏蔽耗尽层电荷。 （2.164） （2.178） 把上面3个表达式代入（57）式，积分得： （58） 第六十七页，共八十六页。 7.3多晶硅栅耗尽层的影响 如果栅是未掺杂的，多晶硅栅耗尽也对Qi-Vg关系曲线有影响。多晶硅耗尽区象一个与氧化层电容串联的大电容，当栅电压较大时，它使反型层中的电荷密度减弱。在高栅偏压时，多晶硅耗尽层的影响大于反型层电容影响。（58）式增加一个附加项。与（2.185）式推导过程相似。 （59） Np：多晶硅栅有效的掺杂浓度。 栅电荷密度：