材料课件五x射线光电子能谱.ppt

第五章 X-射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) ESCA) 第一页，共十九页。 一 概述 表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (100 ?))的研究的技术。包括： 1 电子谱学(Electron Spectroscopies) X-射线光电子能谱 XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy 俄歇能谱 AES: Auger Electron Spectroscopy 电子能量损失谱 EELS: Electron Energy Loss Spectroscopy 第二页，共十九页。 2 离子谱学 Ion Spectroscopies 二次离子质谱SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry 溅射中性质谱SNMS: Sputtered Neutral Mass Spectrometry 离子扫描能谱ISS: Ion Scattering Spectroscopy 第三页，共十九页。 二 XPS的概念 XPS也叫ESCA（ Electron Spectroscopy for Chemical Analysis），是研究表面成分的重要手段。 原理是光电效应（photoelectric effect）。1960’s 由University of Uppsala, Sweden 的Kai Siegbahn等发展。 EMPA中X射线穿透大，造成分析区太深。而由于电子穿透小，深层所产生的电子不出现干扰，所以可对表面几个原子层进行分析。 （吸附、催化、镀膜、离子交换等领域） 第四页，共十九页。 X-ray Beam X-ray penetration depth ~1mm. Electrons can be excited in this entire volume. X-ray excitation area ~1x1 cm2. Electrons are emitted from this entire area Electrons are extracted only from a narrow solid angle. 1 mm2 10 nm 第五页，共十九页。 Conduction Band Valence Band L2,L3 L1 K Fermi Level Free Electron Level 光：Incident X-ray 发射出的光电子Ejected Photoelectron 1s 2s 2p 三 光电效应 （Photoelectric Process） 第六页，共十九页。 1电磁波使内层电子激发，并逸出表面成为光电子，测量被激发的电子能量就得到XPS， 不同元素种类、不同元素价态、不同电子层(1s, 2s, 2p等)所产生的XPS不同。 2被激发的电子能量可用下式表示： KE = hv - BE - ?spec 式中 hv=入射光子（X射线或UV）能量 h=Planck constant ( 6.62 x 10-34 J s ), v - frequency (Hz) BE=电子键能或结合能、电离能（Electron Binding Energy） KE=电子动能 （Electron Kinetic Energy） ?spec= 谱学功函数或电子反冲能 （Spectrometer Work Function） 第七页，共十九页。 谱学功函数极小，可略去， 得到 KE = hv - BE ： 3 元素不同，其特征的电子键能不同。测量电子动能KE ，就得到对应每种元素的一系列BE-光电子能谱，就得到电子键能数据。 4 谱峰强度代表含量，谱峰位置的偏移代表价态与环境的变化-化学位移。 第八页，共十九页。 1激发光源——X射线（软X射线；Mg Kα : hv = 1253.6 eV；Al Kα : hv = 1486.6 eV）或UV； 2电子能量分析器-对应上述能量的分析器，只可能是表面分析； 3高真空系统：超高真空腔室super-high vacuum chamber（ UHV避免光电子与气体分子碰撞的干扰。 四 XPS的仪器Instrumentation for XPS 第九页，共十九页。 XPS的仪器Instrumentation for XPS 第十页，共十九页。 XPS